[发明专利]一种应用掩膜保护进行激光快速加热方法

权利要求书

1.一种应用掩膜保护进行激光快速加热方法，其特征在于包括如下步骤：

1)将多晶硅衬底的硅片置于PECVD沉积系统中，通入SiH₄和H₂的混合气体进行非晶硅薄膜淀积，淀积气压为5Pa，衬底淀积温度为250℃，淀积功率为400W，淀积时间为60min，完成非晶硅薄膜淀积；

2)在非晶硅薄膜淀积完成后，通入NH₃和SiH₄的混合气体进行氮化硅薄膜的淀积，淀积气压为5Pa，衬底淀积温度为250℃，淀积功率为400W，淀积时间为60min，形成氮化硅薄膜构成的掩膜；

3)将含有所述掩膜的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性性容器中，然后用波长为1.6微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm²的光斑，用以对所述薄膜进行结晶退火，保持输出功率和脉宽不变，通过调节脉冲频率，达到所述薄膜外延生长的晶粒尺寸要求。

4)用5％体积比浓度的氢氟酸水溶液，去除所述氮化硅保护层。

2.根据权利要求1所述的一种应用掩膜保护进行激光快速加热方法，其特征在于所述输出功率为450W，所述脉宽为2ms，所述脉冲频率为4～25Hz，对所述薄膜的加热时间60s。

3.根据权利要求2所述的一种应用掩膜保护进行激光快速加热方法，其特征在于所述惰性气体包括氮气或氩气。