[发明专利]一种用硅通孔互连形成的电感环无效

专利信息
申请号: 201010179375.0 申请日: 2010-05-20
公开(公告)号: CN101866908A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 王鹏飞;孙清清;张卫 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/522
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用硅通孔 互连 形成 电感
【权利要求书】:

1.一种用于硅通孔互连形成的电感环,包括:

一个半导体衬底;

两个或两个以上完成通硅孔结构的硅片;

其特征在于,还包括:

在所述硅片的正面和背面形成的互连焊点;

在所述半导体衬底上将所述硅片进行堆叠互连形成的电感元件。

2.根据权利要求1所述的电感环,其特征在于,所述的半导体衬底为单晶硅、多晶硅或者绝缘体上的硅。

3.根据权利要求1所述的电感环,其特征在于,所述硅片的硅通孔结构包括至少一个导电层和一个将所述导电层和所述硅通孔表面隔离的绝缘层。

4.根据权利要求3所述的电感环,其特征在于,所述的绝缘层为二氧化硅、氮化硅或者为他们之间相混合的绝缘物质。

5.根据权利要求3所述的电感环,其特征在于,所述的导电层为铝、铜或者掺杂的多晶硅。

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