[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

硅衬底，所述硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；

沟道层，所述沟道层被形成在所述硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；

阻挡层，所述阻挡层被形成在所述沟道层上并且给所述沟道层提供电子；

二维电子气层，由所述沟道层和所述阻挡层之间的异质结形成所述二维电子气层；

源电极和漏电极，所述源电极和漏电极每个均与所述阻挡层形成欧姆接触；以及

栅电极，所述栅电极被形成在所述源电极和漏电极之间，并且与所述阻挡层形成肖特基势垒结。

2.一种场效应晶体管，包括：

硅衬底，所述硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；

沟道层，所述沟道层被形成在所述硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；

阻挡层，所述阻挡层被形成在所述沟道层上并且给所述沟道层提供电子；

二维电子气层，由所述沟道层和所述阻挡层之间的异质结形成所述二维电子气层；

帽层，所述帽层被形成在所述阻挡层上；

源电极和漏电极，所述源电极和漏电极每个均与所述帽层形成欧姆接触；以及

栅电极，所述栅电极被形成在所述源电极和漏电极之间，并且与所述帽层形成肖特基势垒结。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述硅衬底的电阻率为至少0.001Ω·cm并且不大于0.02Ω·cm。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述沟道层的厚度为至少5μm并且不大于10μm。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述栅电极具有栅极场板电极，所述栅极场板电极在朝着所述漏电极的方向上从所述栅电极延伸。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中源极场板电极被形成在所述源电极和所述漏电极之间的区域的一部分上。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中所述源极场板电极形成在朝向所述漏电极的区域处，并且保护膜被插入在所述源极场板电极和所述栅电极之间。

8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中由i-GaN形成所述沟道层，并且通过i-Al_xGa_1-xN形成所述阻挡层，其中x＝0.1至0.3。

9.一种微波功率放大器，包括：

根据权利要求1所述的场效应晶体管，所述场效应晶体管具有接地的源极端；

输入匹配电路，所述输入匹配电路被连接至所述场效应晶体管的栅极端；

输出匹配电路，所述输出匹配电路被连接至所述场效应晶体管的漏极端；以及

封装，所述封装容纳所述场效应晶体管、所述输入匹配电路以及所述输出匹配电路，并且具有接地的散热板。