[发明专利]一体化投射式电容触摸屏及其制造方法无效
| 申请号: | 201010178257.8 | 申请日: | 2010-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN101853115A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
| 发明(设计)人: | 程抒一 | 申请(专利权)人: | 程抒一 |
| 主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 何新平 |
| 地址: | 200240 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一体化 投射 电容 触摸屏 及其 制造 方法 | ||
1.一体化投射式电容触摸屏,其特征在于:仅采用一块基板,在所述基板上的非可视范围设有颜色涂层,在基板上设有颜色涂层的整个面上设有打底绝缘膜,所述打底绝缘膜上设有第一电极图形;所述的第一电极图形上设有电介质绝缘膜,电介质缘膜上设有第二电极图形,且所述电介质缘膜的覆盖范围不包括第一电极图形;所述第二电极图形上设有外围保护绝缘膜,所述外围保护绝缘膜的覆盖范围不包括第一电极图形和第二电极图形边缘的接合端子;所述接合端子上通过连接线连接有外部控制电路;所述第一电极图形为X轴电极图形,所述第二电极图形为Y轴电极图形;或是所述第一电极图形为Y轴电极图形,所述第二电极图形为X轴电极图形。
2.根据权利要求1所述的一体化投射式电容触摸屏,其特征在于:所述的基板为钢化玻璃或是高分子材料的透明保护面板。
3.根据权利要求1所述的一体化投射式电容触摸屏,其特征在于:所述的颜色涂层包括有油墨、光油。
4.根据权利要求1所述的一体化投射式电容触摸屏,其特征在于:所述的连接线为采用丝网印刷及蚀刻制备的银浆导线;或是通过镀膜和图形化制程工艺制备的金属材质的导电薄膜;或是柔性电路板。
5.一体化投射式电容触摸屏的制造方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤①,测定颜色涂层的热变质温度,将镀膜环境温度设定到低温,即介于颜色涂层的热变质温度和基板的热变质温度中的较小的一个以下;
步骤②,调节镀膜环境温度至颜色涂层的材质微观软化温度,并逐渐调节该温度向步骤①中所设定的低温靠拢,保证该温度下颜色涂层在段差处的微观变软,流动,平滑化;
步骤③,在基板上沉积一层绝缘薄膜,厚度为10~20nm,实现表面平整,增加ITO付着力,并隔绝玻璃基板中碱金属离子进入后续膜层;
步骤④,在步骤③中得到的绝缘薄膜上再次沉积一层ITO薄膜,ITO薄膜的厚度为15~30nm,阻值为150~250欧姆;
步骤⑤,取出镀膜环境,进行第一次图形化制程,将步骤④制得的ITO薄膜蚀刻成电极图形,在电极图形的边缘处生成端子部位;
步骤⑥,在步骤⑤得到的电极图形上沉积一层绝缘薄膜,其厚度为100~300nm,且薄膜不覆盖端子部位,其作用是在步骤⑤中得到的电极图形和随后要制备的另一个电极图形之间充当电介质作用;
步骤⑦,在步骤⑥制得的绝缘薄膜层上沉积一层ITO薄膜,ITO薄膜的厚度为15~30nm,阻值为150~250欧姆;
步骤⑧,取出镀膜环境,进行第二次图形化制程,将由步骤⑦制得的ITO薄膜蚀刻成电极图形,在电极图形的边缘处生成端子部位;
步骤⑨,在步骤⑧中得到的电极图形上沉积一层绝缘薄膜,其厚度为50~300nm,且薄膜不覆盖端子部位;其作用是对上述的所有膜层起一个整体的保护作用。
6.根据权利要求5所述的一体化投射式电容触摸屏的制造方法,其特征在于:所述的颜色涂层与基板存在段差时,直接在基板设有颜色涂层的整个面上镀膜形成触摸屏所需的各层薄膜。
7.根据权利要求5所述的一体化投射式电容触摸屏的制造方法,其特征在于:所述步骤①~步骤⑨中,镀膜环境始终处于低温沉积和段差连续沉积条件下,所述低温沉积为镀膜时面板温度不超过耐热温度下的沉积,保证镀膜时颜色印刷涂层不被破坏;所述段差连续沉积为指将镀膜环境温度调节到颜色印刷涂层的微观软化温度,预先沉积一层较薄的绝缘膜,对段差处行进平滑处理,然再进行其他膜层沉积的过程。
8.根据权利要求7所述的一体化投射式电容触摸屏的制造方法,其特征在于:所述的低温沉积和段差连续沉积包括蒸发镀膜和磁控溅射镀膜两种方式。
9.根据权利要求5所述的一体化投射式电容触摸屏,其特征在于在制作所有膜层时温度均控制在颜色印刷涂层的微观软化温度范围。
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