[发明专利]一种荫罩式等离子显示器驱动方法无效

专利信息
申请号: 201010177837.5 申请日: 2010-05-19
公开(公告)号: CN101853627A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 杨诚;张雄;彭永林 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G09G3/28 分类号: G09G3/28;G09G3/288
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 许方
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 荫罩式 等离子 显示器 驱动 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及等离子显示技术,特别是一种荫罩式等离子显示器的驱动方法。

背景技术

等离子体显示器(PDP)具有大屏幕显示、易于数字化和显示效果好等优势,这使其在平板显示器领域占有重要地位,目前PDP大多采用三电极表面放电的工作方式,其结构包括前玻璃基板、维持电极、扫描电极、介质层、保护层、RGB荧光粉层、障壁、寻址电极和后玻璃基板。

荫罩式等离子显示器(以下简称SMPDP)是近年来显示平板业中的一项新兴的显示技术,它采用金属障壁代替传统的绝缘障壁,简化了制作障壁的工艺过程,从而大大降低了生产成本;另外,通过金属障壁的引入,改变了PDP单元放电空间的电场以及工作特性。另有研究表明,该结构具有降低着火电压,提高响应频率等优点。SMPDP的电极结构不同于广泛使用的三电极表面放电结构,而是改为两电极的对向放电型,减少了驱动电极,降低了驱动电路的复杂度,同时也有利于降低驱动电路的成本和提高驱动性能。但是,SMPDP作为新型的等离子体平板技术,其不同的结构决定了其放电过程及电路驱动的新要求。目前SMPDP普遍采用的ADS(寻址与显示相分离)的驱动方法,其通过各个子场组合发光的灰阶显示模式,导致其不可避免的显示动态图像时具有动态伪轮廓的现象。传统的ADS驱动方式未能有效的利用壁电荷,因此寻址速度较慢,通常单行寻址时间大于1.2微秒。为了提高显示容量,必须改善面板均匀性,加快寻址速度,减少寻址期以获得足够的显示期,实现高亮度显示。

吴隽、汤勇明等人(吴隽,汤勇明,夏军,王保平消除荫罩式等离子体显示器动态伪轮廓方法的研究[J].光电子技术,2005,25(3):159-162),对荫罩式等离子显示器产生动态伪轮廓的原理进行了深入分析并提出了通过子场维持发光的积累取代子场发光组合来实现灰度的驱动时序方法,该方法能够从原理上消除荫罩式等离子显示中的动态伪轮廓,但该文并未给出具体的驱动方法。

发明内容

本发明的目的是针对现有SMPDP存在的问题,在传统的SMPDP驱动方法的基础上,提供一种新的驱动方法,该驱动方法能够有效消除动态伪轮廓现象,使SMPDP达到较好的视频图像显示效果、改善其因制作工艺误差带来的发光一致性和均匀性的问题,另外达到降低寻址能量功耗的目的。

本发明通过如下方案实现:

一种荫罩式等离子显示器驱动方法,利用驱动时序的调整,通过子场维持发光的积

累来显示灰度等级,其特征在于:具体通过在行扫描电极上加载特定结构的驱动波形实现;该特定结构的驱动波形包括一个初始期子场和n(n为小于16的整数,子场过多会造成亮度的下降,在实际应用中通常取10-12个)个后续子场;其中初始期子场包括点火波形、寻址波形、擦除波形和维持波形;后续子场包括寻址波形、斜坡擦除波形和维持波形;其中最后一个后续子场在维持波形之后还有一段擦除波形;当像素单元显示的灰度m=0时,所有子场无寻址放电;当像素单元显示的灰度m≠0时,初始期子场进行寻址放电,与灰度m相对应的后续子场亦进行寻址放电,形成反转壁电压,配合寻址期之后的斜坡擦除波形中和壁电荷,终止后续的维持放电发光,从而通过之前的所有维持脉冲发光的辉度来表征灰度。本发明的驱动方法通过子场维持发光的积累来显示灰度,可从原理上彻底消除传统ADS驱动方式造成的动态伪轮廓现象;本发明的驱动方法在一帧时间内由初始期子场和若干后续子场组成,每帧只在初始期子场有一个点火期,在初始期子场和后续某一子场各有一次寻址放电,或者一帧之内无寻址放电(像素显示“黑”情况下),从而可提高暗室对比度且使得寻址驱动能量功耗大大降低;本发明的驱动方法提出了在后续子场的寻址期利用窄脉冲寻址放电、寻址期结束后斜坡擦除的方案,在终止后续子场维持放电的同时可实现高速寻址,节省出的寻址时间可以适当增多子场数目或者维持期的脉冲个数,用以丰富灰阶或者提高屏的显示亮度。

本发明方案中后续子场中的擦除波形可使用线性斜坡波形或指数波波形。

为了进一步提高本发明方案中擦除的准确性,本发明还提出了一种扫描电压基准分离的方案,即除初始期子场的扫描基准电压与现有技术相同,均为GND(接地电压)外,后续子场寻址期的扫描脉冲分为脉冲正电压Vpp+和脉冲负电压Vpp-两部分,两部分电压幅值可分别调节,且可任意调节扫描电压基准的高度,从而改变寻址放电强度;为保证行芯片的正常工作,两者的压差须低于行驱动芯片最大工作电压,即满足:

|Vpp+|+|Vpp-|<行驱动芯片最大工作电压。

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