[发明专利]一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种可有效增加储存电容的阵列基板及其制造方法。

背景技术

近年来，由于重量轻、体积小等优点，平板显示器尤其是液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)在移动手机、数码相机、笔记本电脑以及平板电视等显示终端中被广泛地使用。由于具有优于LCD的亮度、视角性能、响应速度和显示效果，OLED被公认为下一代平板显示器，特别是主动矩阵有机发光显示器(AMOLED)的优点更为突出。AMOLED通过在薄膜晶体管(TFT)阵列基板上形成OLED像素器件实现发光显示功能。

为了提高显示器的分辨率而使得像素尺寸缩小之时，每一个像素内可以用于放置储存电容器的面积也必须相对地缩小，以保持像素的开口率，因此研究者一直不断地寻求将储存电容器所需的面积最小化的方法。目前，有源矩阵有机发光显示器的像素结构如图1所示，图2为图1像素结构之等效电路图，该像素包括栅极线111，第一金属电极112，作为驱动晶体管的栅极，一数据线121，第二金属电极122作为驱动信号。其中储存电容12由第一金属电极112、绝缘层和第二金属电极122组成，由于金属层为不透光材料，因此当增大金属电极面积以增加电荷储存容量时就要降低像素的开口率。为了保持在显示一帧图像的时间内，像素的显示效果不发生变化，必须设计具有一定储存电容值的电容。然而，在提高分辨率的同时，为了保持储存电容器的面积，难免会影响像素的开口率。因此，在不影响像素的开口率的情况下增加电荷储存容量；或者是在增加有机发光显示器的像素开口率的情况下维持电荷储存容量，成为AMOLED制造过程中有待解决的问题之一。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是提供一种具有新型储存电容结构的有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，以解决电容值与开口率之间的矛盾。

本发明的目的是通过如下技术方案予以实现的：

本发明提供了一种有源矩阵有机发光显示器，包括一基板；配置于该基板上 的多个像素，并呈矩阵排列；平行配置于像素之间的多条数据线；平行配置于像素之间且与数据线垂直的多条扫描线。上述像素的像素区域内中具有一叠层储存电容器结构的储存电容器，该叠层储存电容器结构包括第一储存电容器、第二储存电容器、第三储存电容器。第一储存电容器由第一导电层、第二导电层以及位于该第一导电层与该第二导电层之间的第一绝缘层构成，其中第一导电层为多晶硅层，第二导电层为第一金属层。第二储存电容器由第二导电层、第三导电层以及位于该第二导电层与该第三导电层之间的第二绝缘层构成，其中第三导电层为第二金属层。第三储存电容器由第三导电层、第四导电层以及位于该第三导电层与该第四导电层之间的第三绝缘层构成，其中第四导电层为透明电极层。上述第一导电层与第三导电层形成电接触，所述第二导电层与第四导电层形成电接触，第一储存电容器、第二储存电容器与第三储存电容器相互并联。

本发明还提供了一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，包括以下步骤：

形成第一储存电容器，该第一储存电容器由第一导电层、第二导电层以及位于该第一导电层与该第二导电层之间的第一绝缘层构成；

形成第二储存电容器，该第二储存电容器由第二导电层、第三导电层以及位于该第二导电层与该第三导电层之间的第二绝缘层构成；

连接第一导电层与第三导电层以形成电接触；

形成第三储存电容器，该第三储存电容器由第三导电层、第四导电层以及位于该第三导电层与该第四导电层之间的第三绝缘层构成；

连接第二导电层与第四导电层以形成电接触。

本发明技术方案可有效提高像素的储存电容值，减少不发光金属的面积，提高像素的开口率，进而提高像素的亮度，提升面板的画质。

附图说明

图1为一种有源矩阵有机发光显示器的像素结构示意图；

图2为一种有源矩阵有机发光显示器的像素结构等效电路图；

图3为本发明的有源矩阵有机发光显示器的像素结构示意图；

图4A为本发明形成多晶硅半导体层的示意图；

图4B为沉积栅绝缘层的示意图；

图4C为形成栅极及第一金属层的示意图；

图4D为沉积层间绝缘层的示意图；

图4E为形成接触孔图案的示意图；

图4F为形成源、漏极和第二金属层的示意图；

图4G为沉积钝化层的示意图；

图4H为形成接触孔图案的示意图；

图4I为形成透明电极层的示意图；

图5为本发明叠层储存电容器的等效电路图。