[发明专利]聚合物电致发光器件有机层导热系数的测量方法及应用无效
申请号: | 201010177139.5 | 申请日: | 2010-05-12 |
公开(公告)号: | CN101865866A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 张剑平;文尚胜;桂宇畅;宋小锋;黎永涛 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | G01N25/20 | 分类号: | G01N25/20 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 黄磊 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚合物 电致发光 器件 有机 导热 系数 测量方法 应用 | ||
1.聚合物电致发光器件有机层导热系数的测量方法,所述聚合物电致发光器件各层依次为ITO玻璃片、空穴传输层、聚合物发光层、电子传输层、阴极,其特征在于:所述测量方法包括聚合物电致发光器件性能测量、有限元分析软件热仿真、聚合物电致发光器件阴极温度测量,具体步骤如下:
(1)聚合物电致发光器件性能测量,具体是:手套箱低氧低水气环境下,在聚合物电致发光器件正极、负极施加范围2~20V之间的直流电压V,使得聚合物电致发光器件发出光线,探测聚合物电致发光器件的光强和电流效率,通过计算获得聚合物电致发光器件光能转换效率;
(2)有限元分析软件热仿真,即通过有限元分析软件对聚合物电致发光器件的热特性进行热仿真,具体是:
采用有限元分析软件建立聚合物电致发光器件3D模型,对所述聚合物电致发光器件3D模型进行有限元划分,施加相应边界条件和热生成功率;
对待测有机层设置一个线性变化的导热系数,除待测有机层外,所述聚合物电致发光器件的其余各层参照热学手册分别施加固定导热系数值;对所述聚合物电致发光器件3D模型进行求解,获取阴极温度与待测有机层导热系数的之间变化曲线图和对应关系表,不同的阴极温度对应着待测有机层不同的导热系数;
(3)聚合物电致发光器件阴极温度测量:在聚合物电致发光器件两端施加大小为V直流电压,即施加输入功率与聚合物电致发光器件性能测量步骤中所施加的输入功率值一样;
待器件热稳定后,测量聚合物电致发光器件阴极温度,根据所获得阴极温度,结合有限元分析软件模拟的阴极温度与待测有机层的导热系数变化曲线图,获得待测有机层的导热系数。
2.根据权利要求1所述的聚合物电致发光器件有机层导热系数的测量方法,其特征在于:所述ITO玻璃片是在厚度为0.5~2mm的石英玻璃衬底溅射80~160nm氧化铟锡层溅射层;所述空穴传输层在空气环境中采用旋涂方式制备,空穴传输层厚度为20~60nm;所述聚合物发光层在手套箱低氧低水气环境中采用旋涂方式制备,聚合物发光层厚度为40~200nm;所述电子传输层、阴极在超高真空环境下采用蒸镀方式制备,所述电子传输层厚度为4~40nm,所述阴极厚度为60nm~200nm。
3.根据权利要求1所述的聚合物电致发光器件有机层导热系数的测量方法,其特征在于:步骤(1)中所述探测聚合物电致发光器件的光强和电流效率,是采用硅光电器件探测。
4.根据权利要求1所述的聚合物电致发光器件有机层导热系数的测量方法,其特征在于:步骤(2)中所述有限元分析软件,是采用ANSYS有限元分析软件。
5.根据权利要求1所述的聚合物电致发光器件有机层导热系数的测量方法,其特征在于:步骤(2)中所述线性变化的变化范围是0.01~20W/m·K。
6.根据权利要求1所述的聚合物电致发光器件有机层导热系数的测量方法,其特征在于:步骤(3)中测量聚合物电致发光器件阴极温度,是采用接触式温度测量仪器测量。
7.根据权利要求6所述的聚合物电致发光器件有机层导热系数的测量方法,其特征在于:所述接触式温度测量仪器采用热电偶温度测量仪。
8.权利要求1-7中任一项所述的聚合物电致发光器件有机层导热系数的测量方法的应用,其特征在于:适用于空穴传输层、聚合物发光层、电子传输层中的任一种有机层导热系数的测量。
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