[发明专利]基于横向诱导晶化多晶硅薄膜的薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.基于横向诱导晶化多晶硅薄膜的薄膜晶体管的制备方法，包括：

步骤1)：在衬底上形成非晶硅层，然后形成氧化物层；

步骤2)：在所述氧化物层上刻蚀出凹槽，以暴露出非晶硅层；

步骤3)：在所述暴露的非晶硅层上形成镍硅氧化物薄膜，该镍硅氧化物薄膜的厚度为2.5～50

步骤4)：将步骤3)所得产物在惰性或保护气体环境、590℃下退火1小时；

步骤5)：晶化完成后，去除残余的镍硅氧化物和氧化物层，并通过光刻形成有源岛；

步骤6)：沉积100nm的氧化物层；

步骤7)：采用二倍频和三倍频脉冲激光同时照射样品表面；

步骤8)：栅绝缘层为100nm氧化物层，以280nm多晶硅为栅电极，离子注入后形成源漏电极；

步骤9)：采用二倍频脉冲激光照射；

步骤10)：沉积500nm氧化物作为电极绝缘层，形成接触孔和金属引出电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镍硅氧化物薄膜通过蒸发、旋涂方法制成。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过溅射镍硅合金靶形成所述镍硅氧化物薄膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镍硅合金靶中镍与硅的比例为1∶1～1∶50。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镍硅合金靶中镍与硅的比例为1∶9。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镍硅氧化物中氧、硅和镍的原子浓度比为40∶21∶1。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射过程在氧气和氩气的环境下进行，溅射功率为7W至40W。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧气和氩气的比例为1∶100至1∶200。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物为氧化硅。