[发明专利]一种双谐振腔与波导的耦合结构无效

专利信息
申请号: 201010175443.6 申请日: 2010-05-12
公开(公告)号: CN101859979A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 王世江;黄永箴;杨跃德 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;H01S5/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 谐振腔 波导 耦合 结构
【权利要求书】:

1.一种双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,该结构包括:

一个衬底;

两个制作于衬底上的谐振腔;以及

一个制作于衬底上且位于两个谐振腔之间的条形输出波导。

2.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述谐振腔具有形成谐振的腔体结构。

3.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述谐振腔具有一含有有下限制层、有源层和上限制层结构,该结构包括:

一个制作于衬底上的下限制层;

一个制作于下限制层上的有源层,该有源层的形状与下限制层相同;以及

一个制作于有源层上的上限制层,该上限制层的形状与下限制层相同。

4.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述条形输出波导为单模波导或多模波导,宽度小于所述谐振腔的半径。

5.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述条形输出波导为浅刻蚀输出波导,或者为深刻蚀输出波导。

6.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述两个谐振腔结构相同,呈圆柱、圆环或者正方形。

7.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述条形输出波导与所述谐振腔相切、相交或具有一定的间隙,间隙的大小需要能够保证谐振腔与波导形成有效耦合。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010175443.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top