[发明专利]一种双谐振腔与波导的耦合结构无效
申请号: | 201010175443.6 | 申请日: | 2010-05-12 |
公开(公告)号: | CN101859979A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 王世江;黄永箴;杨跃德 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/026 | 分类号: | H01S5/026;H01S5/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 谐振腔 波导 耦合 结构 | ||
1.一种双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,该结构包括:
一个衬底;
两个制作于衬底上的谐振腔;以及
一个制作于衬底上且位于两个谐振腔之间的条形输出波导。
2.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述谐振腔具有形成谐振的腔体结构。
3.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述谐振腔具有一含有有下限制层、有源层和上限制层结构,该结构包括:
一个制作于衬底上的下限制层;
一个制作于下限制层上的有源层,该有源层的形状与下限制层相同;以及
一个制作于有源层上的上限制层,该上限制层的形状与下限制层相同。
4.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述条形输出波导为单模波导或多模波导,宽度小于所述谐振腔的半径。
5.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述条形输出波导为浅刻蚀输出波导,或者为深刻蚀输出波导。
6.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述两个谐振腔结构相同,呈圆柱、圆环或者正方形。
7.根据权利要求1所述的双谐振腔与波导的耦合结构,其特征在于,所述条形输出波导与所述谐振腔相切、相交或具有一定的间隙,间隙的大小需要能够保证谐振腔与波导形成有效耦合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010175443.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:架空输电线路主动防振器及主动防振方法
- 下一篇:防触电插座电路