[发明专利]反向导通半导体器件

权利要求书

1.一种反向导通半导体器件(200)，其包括在共有的晶圆(100)上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，该晶圆(100)的一部分形成具有第一掺杂浓度和基极层厚度(102)的第一导电类型的基极层(101)，其中

所述绝缘栅双极晶体管包括集电极侧(103)和在所述晶圆(100)的所述集电极侧(103)的相对侧的发射极侧(104)，其中

所述基极层厚度(102)是具有所述第一掺杂浓度的所述晶圆的那部分的集电极侧和发射极侧(103、104)之间的最大垂直距离，

第一导电类型的和比第一掺杂浓度更高的掺杂浓度的第一层(1)与第二导电类型的第二层(2)交替设置在所述集电极侧(103)上，其中

第一导电类型的第三层(3)、第二导电类型的第四层(4)和采用栅电极的形式的导电第五层(5)设置在所述发射极侧(104)上，其中

所述第一层(1)包括至少一个第一区(10)，其中每个第一区(10)具有第一区宽度(11)，其中

所述第二层(2)包括至少一个第二区(20)和至少一个第三区(22)，其中每个第二区(20)具有第二区宽度(21)，其中每个第三区(22)具有第三区宽度(23)，其中

任何区具有区宽度和被区边界环绕的区区域，其中

最短距离是在所述区区域内的点和在所述区边界上的点之间的最小长度，

每个区宽度限定为在所述区内任何最短距离的最大值的两倍，

所述反向导通半导体器件(200)包括电有源区(110)，该有源区(110)是所述晶圆(100)内包含所述第三层(3)、第四层(4)和第五层(5)并且设置在所述第三层(3)、第四层(4)和第五层(5)下面的区域，

其特征在于

每个第三区区域是其中任意两个第一区(10)具有大于所述基极层厚度(102)两倍的距离的区域，特征在于，所述至少一个第二区是所述第二层(2)中不是所述至少一个第三区(22)的那部分，

所述至少一个第三区(22)采用这样的方式设置在所述有源区(110)的中心部分使得存在有至少一倍于所述基极层厚度(102)的所述第三区边界到所述有源区边界之间的最小距离，特征在于

所述至少一个第三区(22)的面积之和在所述有源区(110)的10％和30％之间，特征在于

每个第一区宽度(11)小于所述基极层厚度(102)。

2.如权利要求1所述的反向导通半导体器件(200)，其特征在于，至少一个或每个第二区宽度(20)大于所述基极层厚度(102)。

3.如权利要求1或2所述的反向导通半导体器件(200)，其特征在于

每个第三区区域是其中任意两个第一区(10)具有大于所述基极层厚度(102)的2.5倍或3倍的距离的区域。

4.如权利要求1至3中任一项所述的反向导通半导体器件(200)，其特征在于，所述第三区(22)具有正方形、矩形、圆形、星形、钻石形、或六边形。

5.如权利要求4所述的反向导通半导体器件(200)，其特征在于，所述第三区(22)具有星形，其具有形成三星的三个突出、形成十字的四个突出或五个或更多突出。

6.如权利要求1至5中任一项所述的反向导通半导体器件(200)，其特征在于，所述至少一个第三区(22)连接到所述有源区(110)内的至少一个或每个第二区(20)。

7.如权利要求6所述的反向导通半导体器件(200)，其特征在于，所述至少一个第三区(22)是单个第三区，或其特征在于，至少两个第三区(22)经由第二区(20)彼此互连，以及其特征在于，所述单个第三区或所述至少两个第三区连接到延伸到所述有源区(110)的边界的第二区(22)。

8.如权利要求6或7所述的反向导通半导体器件(200)，其特征在于，所述第二区(22)中至少一部分或所有从所述至少第三区(22)径向延伸到所述有源区(110)的边界。

9.如权利要求1至8中任一项所述的反向导通半导体器件(200)，其特征在于，所述至少一个第一区(10、20)在所述晶圆(100)上设置为条带。

10.如权利要求9所述的反向导通半导体器件(200)，其特征在于，多个条带设置成一行，并且多个这样的行在所述有源区内设置成一列列。