[发明专利]加工半导体用人造石英玻璃基板的方法

权利要求书

1.一种加工人造石英玻璃基板的方法，该基板具有0.3～2.0μm的平整度 F₁和0.4～4.0μm的平行度，所述方法包括：

对基板进行表面形状的高精度测量；和

在提供研磨颗粒的情况下，使小型旋转式加工工具的抛光部件与人造石英 玻璃基板(1)的表面接触，并在且旋转所述抛光部件的同时，相对地扫描移动 所述抛光部件和基板表面，从而抛光该基板，其中，抛光部件和基板表面之间 的接触面积为1～500mm²；

其中，所述小型旋转式加工工具具有旋转轴，所述旋转轴沿相对于基板表 面法线倾斜的方向设置，使得加工工具(2)的旋转轴与基板表面法线之间的角 度为5～85°，且使所述加工工具在基板表面上以固定方向做往复运动，其平行 于将加工工具的旋转轴投影到基板上所得到的投影线方向，当在垂直于往复运 动方向的方向上且在平行于基板表面的平面中以预定的间距进行抛光时，同时 根据测量的基板表面的突出程度控制所述工具(2)的移动速度、旋转速度和接 触压力中的一个或多个，使得旋转工具(2)沿X-轴方向扫描移动，同时在Y 轴方向上保持其位置不变；旋转工具(2)在到达基板(1)的端部时，以微小 的间距沿Y轴方向作微移动；旋转工具(2)再次沿X-轴方向扫描移动，同时 在Y轴方向上保持其位置不变；通过重复这些操作，基板(1)的整个部分被抛 光；

由此，基板(1)的平整度被改善为0.01～0.5μm的平整度F₂，使得F₁＞F₂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述加工工具的旋转速度为100～ 10000rpm，加工压力为1～100g/mm²。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述旋转速度为1000-8000rpm。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触面积为2.5-100mm²。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述角度为15-60°。

6.根据权利要求1所述的方法，其中利用加工工具加工的基板表面部分具 有近似高斯分布的形状。

7.根据权利要求1所述的方法，其中加工工具的抛光部件具有凸起的轴向 部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在进行抛光时，加工工具(2)与基 板表面之间的接触压力被控制为预定的值。

9.根据权利要求1所述的方法，其中加工工具的抛光部件的硬度依据JIS K6253测量在A50～A75的范围内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在利用加工工具抛光基板表面之后， 进行单片型抛光或双面抛光以改善表面特性和减少最终完成的表面的品质缺 陷。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在利用所述加工工具(2)对基板 表面抛光之后进行的、旨在改善加工过的表面的表面特性和减少品质缺陷的抛 光步骤中，将抛光步骤过程中预期产生的形状变化考虑在内，通过预先确定由 小型加工工具(2)产生的抛光量来进行所述抛光步骤，从而在最终完成的表面 中既获得改进的平整度又获得高的表面完整性。

12.根据权利要求1所述的方法，其中将利用所述加工工具(2)的加工施 加在基板(1)的两面以减少厚度的偏差。