[发明专利]一种纳米间距平面电极的制备方法无效
申请号: | 201010172785.2 | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN101834129A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 贺德衍;刘德全;王琦;杨丰;乔丽;秦艳丽 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;D01D5/00 |
代理公司: | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人: | 张晋 |
地址: | 730000 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 间距 平面 电极 制备 方法 | ||
1.一种纳米间距平面电极的制备方法,其特征是首先采用静电纺丝装置制备出聚合物分子的电纺丝,用基片材料收集电纺丝,使电纺丝附着于基片材料表面上,然后在附着有电纺丝的基片表面上用物理或者化学方法沉积一层导电介质的薄膜,再将基片材料进行灼烧,去除其上的聚合物电纺丝,得到间距与纺丝直径相近的平面电极。
2.根据权利要求1所述的一种纳米间距平面电极的制备方法,其特征是用基片材料收集电纺丝时,先在基片材料表面上涂敷一层酒精,然后将涂敷有酒精的一面与电纺丝接触,使电纺丝粘结于基片材料表面。
3.根据权利要求1或2所述的一种纳米间距平面电极的制备方法,其特征是在隋性气体保护下对基片材料进行灼烧,灼烧的温度为略高于电纺丝材料的分解温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造