[发明专利]防止浅注入离子扩散的方法无效
| 申请号： | 201010172705.3 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101834132A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 杨昌辉 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 注入 离子 扩散 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止浅注入离子扩散的方法，其特征在于，在注入杂质离子、去除衬基表面光阻挡层之后，退火处理之前，在低于80℃的条件下，在所述衬基的表面生长一盖层。
2.如权利要求1所述的防止浅注入离子扩散的方法，其特征在于，所述盖层的厚度小于注入杂质离子的深度。
3.如权利要求1所述的防止浅注入离子扩散的方法，其特征在于，所述盖层为氧化物层。
4.如权利要求3所述的防止浅注入离子扩散的方法，其特征在于，生长所述盖层是在刻蚀机的反应腔内完成的。
5.如权利要求4所述的防止浅注入离子扩散的方法，其特征在于，在刻蚀机的反应腔内，以40～60sccm的流速通入氧气，所述氧气与所述衬基的表面发生反应，在所述衬基的表面生成一氧化物层。
6.如权利要求5所述的防止浅注入离子扩散的方法，其特征在于，所述刻蚀机的源功率为500～700W、偏压为150～250V、气压为30～50mt。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010172705.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
