[发明专利]外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法

权利要求书

1.一种外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)深沟槽刻蚀；

(2)热氧化在深沟槽内形成牺牲氧化膜；

(3)采用稀释氢氟酸或氟化氢蒸汽去除深沟槽里的牺牲氧化膜；

(4)采用SPM、APM和HPM清洗，然后采用异丙醇干燥；

(5)外延生长。

2.如权利要求1所述的外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，其特征在于，步骤(1)中，所述深沟槽刻蚀，使用干法刻蚀的方法，刻蚀深度＞10微米。

3.如权利要求1所述的外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，其特征在于，步骤(2)中，所述热氧化形成牺牲氧化膜用于修复深沟槽刻蚀造成的硅表面损伤，该牺牲氧化膜的厚度为100埃到1000埃。

4.如权利要求1所述的外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，其特征在于，步骤(3)中，如采用稀释氢氟酸来去除深沟槽里的牺牲氧化膜，该稀释氢氟酸的氢氟酸和水的体积比范围为1∶20到1∶1000，处理温度为室温。

5.如权利要求1所述的外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，其特征在于，步骤(3)中，如采用氟化氢蒸汽来去除深沟槽里的牺牲氧化膜，该氟化氢蒸汽由49％氢氟酸加热到沸点形成。

6.如权利要求1所述的外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，其特征在于，步骤(4)中，所述SPM是硫酸双氧水混合物，其中H₂SO₄∶H₂O₂的体积比为3∶1到30∶1，采用SPM清洗的温度为100℃到160℃；所述APM是氨水双氧水混合物，其中NH₄OH∶H₂O₂∶DI的体积比为1∶1∶5到1∶6∶60，采用APM清洗的温度从25℃到75℃；所述HPM是盐酸双氧水混合物，其中HCL∶H₂O₂∶DI的体积比为1∶1∶5到1∶4∶20，采用HPM清洗的温度从25℃到75℃。

7.如权利要求1或6所述的外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，其特征在于，步骤(4)中，所述采用异丙醇干燥可采用低温异丙醇干燥，干燥温度为25℃-50℃，或者可采用减压加热的异丙醇干燥，干燥温度为70℃-90℃。

8.如权利要求1或4所述的外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，其特征在于，步骤(3)中，如果使用稀释氢氟酸去除牺牲氧化膜，可以与步骤(4)合并成一个步骤完成，即去除牺牲氧化膜和外延前清洗在一个湿法化学清洗设备里完成，依次采用SPM、稀释氢氟酸、APM和HPM清洗，然后采用异丙醇干燥。