[发明专利]垂直发射量子级联激光器结构无效
| 申请号： | 201010171511.1 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101847828A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 郭万红;刘俊岐;陆全勇;张伟;江宇超;李路;王利军;刘峰奇;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 量子 级联 激光器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直发射量子级联激光器结构，包括：
一衬底，在该衬底上依次生长有波导层、有源层和接触层；
金属光栅层，该金属光栅层位于接触层的上面，并且该金属光栅层具有二级布拉格周期。
2.按权利要求1所述的垂直发射量子级联激光器结构，其中所述的衬底为InP衬底。
3.按权利要求1所述的垂直发射量子级联激光器结构，其中所述的波导层的材料为InGaAs，该波导层为n型掺杂，掺杂浓度为6×1016cm-3，层厚为0.55μm。
4.按权利要求1所述的垂直发射量子级联激光器结构，其中所述的有源层由40个周期的InGaAs/InAlAs组成，该有源层对应的波长为8-12μm。
5.按权利要求1所述的垂直发射量子级联激光器结构，其中所述的接触层的材料为InGaAs，掺杂浓度为1×1019cm-3，层厚为0.05μm。
6.按权利要求1所述的垂直发射量子级联激光器结构，其中所述的金属光栅层的材料为银，该金属光栅层14的厚度为0.25μm，金属的占空比为0.55。
7.按权利要求1所述的垂直发射量子级联激光器结构，其中所述的金属光栅层在接触层的上面分为4段结构。
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