[发明专利]发光二极管芯片的电极结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种发光二极管芯片的电极结构。

背景技术

发光二极管属于半导体元件，发光二极管芯片的材料一般可使用III-V族化学元素，如：磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等化合物半导体。利用对这些化合物半导体施加电流、透过电子空穴对的结合，可将电能转化为光能以光子的形式释放出，达成发光的效果。由于发光二极管的发光现象是属于冷性发光，而非藉由加热发光，因此发光二极管的寿命通常可长达十万小时以上。此外，发光二极管还具有反应速度快、体积小、节能、环保等优点，因而其所应用的领域十分广泛。

通常，发光二极管芯片包括基板、位于基板上的N型参杂半导体层和P型参杂半导体层、分别配置于N型参杂半导体层上的N型电极和位于P型参杂半导体层上的P型电极、以及位于N型参杂半导体层和P型参杂半导体层之间的发光层。当经由所述N型电极及P型电极对发光二极管芯片通以电流时，电子及空穴分别经由N型参杂半导体层和P型参杂半导体层传递至发光层中结合，并以光子的形态释放能量而达成发光的效果。如图1所示为现有技术中一种发光二极管芯片的N型电极及P型电极的示意图，其中两个电极501、502分别包括两个电极垫503、504及一连接其两个电极垫503、504并向外延伸形成的螺旋形分支505、506。所述电极501、502的分支505、506相互对应，每一电极501、502的分支505、506从对应的电极垫503、504至分支505、506末端之间形成若干转角507、508。每一电极501、502的转角507、508分别位于靠近另一电极501、502的电极垫503、504的地方，使得每一电极501、502容易在转角507、508处形成电流汇流通道，因而在转角507、508处出现电流拥挤的情形，并使得每一分支505、506于转角507、508后的末端部分的电流下降，导致该发光二极管芯片内部的电流密度不均匀，且两个电极501、502之间的电压增加，最终使得该发光二极管芯片消耗的功率增加。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种消耗功率较小的发光二极管芯片的电极结构。

一种发光二极管芯片的电极结构，其包括相互对应的第一电极和第二电极，每一第一电极和第二电极分别包括至少一主干、从该至少一主干延伸形成的至少一分支、以及至少一电极垫，每一第一电极的分支的末端至第二电极的电极垫的距离小于该第一电极的分支上其余部分任意一点至该第二电极的电极垫的距离。

与现有技术相比，第一电极的分支的末端与第二电极的电极垫之间的距离小于该分支上其余部分任意一点与该第二电极的对应的电极垫之间的距离，从而避免了第一电极在延伸过程中形成靠近第二电极的电极垫的转角而导致电流拥挤的情形，减小该发光二极管芯片的第一电极和第二电极之间的电压，从而减小该发光二极管芯片消耗的功率。

附图说明

图1是现有技术中发光二极管芯片的电极结构示意图。

图2是本发明第一实施例中发光二极管芯片的电极结构示意图。

图3是本发明第二实施例中发光二极管芯片的电极结构示意图。

图4至本发明第三实施例中发光二极管芯片的电极结构示意图。

主要元件符号说明