[发明专利]具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管，其特征是：外延层形成于第一电极上，呈网格状分布的分布布拉格反射层形成在外延层上，反射金属层形成于分布布拉格反射层与外延层的顶面暴露部分上，永久基板形成于反射金属层上，第二电极形成于永久基板上。

2.具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法，包括下列步骤：

1)提供一临时基板；

2)在临时基板正面上形成外延层；

3)在外延层上形成分布布拉格反射层；

4)在分布布拉格反射层中形成开口结构，使分布布拉格反射层呈网格状分布并部分暴露出外延层顶面；

5)在分布布拉格反射层上及暴露于开口结构的外延层上形成一反射金属层；

6)选择一永久基板与反射金属层粘合；

7)去除临时基板；

8)在外延层底面、永久基板顶面分别形成第一电极、第二电极；

9)切割得铝镓铟磷系发光二极管。

3.如权利要求2所述的具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法，其特征在于：临时基板选用GaAs基板。

4.如权利要求2所述的具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法，其特征在于：永久基板选用Si、GaP、SiC、Cu、Ni、Mo、AlN基板或前述基板的组合之一。

5.如权利要求2所述的具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法，其特征在于：分布布拉格反射层由交替的高折射率和低折射率材料层组成。

6.如权利要求2所述的具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法，其特征在于：分布布拉格反射层的高折射率层材料选自TiO、TiO₂、Ti₃O₅、Ti₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂或前述的任意组合之一。

7.如权利要求2所述的具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法，其特征在于：分布布拉格反射层的低折射率层材料选自SiNx、SiO₂或前述的任意组合之一。

8.如权利要求5、6或7所述的具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法，其特征在于：呈网格状分布的分布布拉格反射层的图案形状为矩形、圆形或多边形。

9.如权利要求2所述的具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法，其特征是：反射金属层材料选自Au、Be/Au、Au/Zn、Pd或前述的任意组合之一。

10.如权利要求2所述的具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法，其特征在于：永久基板与反射金属层的粘合方式采用晶片键合或电镀粘合。