[发明专利]包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料有效
| 申请号： | 201010170373.5 | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101924502A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | J·杨;X·施;S·白;W·张;L·陈;J·杨 | 申请（专利权）人： | 通用汽车环球科技运作公司;中国科学院上海陶瓷研究所 |
| 主分类号： | H02N11/00 | 分类号： | H02N11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 韦欣华;李连涛 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 多种 过渡 金属 掺杂 型包合物 晶体结构 热电 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种热电材料，其包含具有如下通式的多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构：
其中：
A选自钡，锶，和铕；
X选自硅，锗，和锡；
M选自铝，镓，和铟；
TM1、TM2和TMn各自选自3d，4d，和5d过渡金属；及
y1，y2，yn和Z分别是TM1，TM2，TMn，和M的实际组成，
其中所述实际组成基于由下面的方程得到的名义组成：
z＝8·qA-|Δq1|y1-|Δq2|y2-...-|Δqn|yn
其中，qA是A的电荷态，Δq1，Δq2，Δq3分别是第一，第二和第n个TM的名义电荷态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用汽车环球科技运作公司;中国科学院上海陶瓷研究所，未经通用汽车环球科技运作公司;中国科学院上海陶瓷研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010170373.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
