[发明专利]堆叠存储器件有效
申请号: | 201010170126.5 | 申请日: | 2010-05-04 |
公开(公告)号: | CN101882620A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 安承彦;金镐正;朴哲佑;姜尚范;崔贤镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 存储 器件 | ||
1.一种堆叠存储器件,包括:
衬底;
依次堆叠在该衬底上的多个存储器组,每个存储器组包括至少一个存储器层;
多个X-译码器层,该多个X-译码器层中的至少一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间;和
与该多个X-译码器层交替布置的多个Y-译码器层,该多个Y-译码器层中的至少一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间。
2.如权利要求1所述的堆叠存储器件,其中该多个存储器组中的至少一个被布置在每一个X-译码器层和每一个Y-译码器层之间。
3.如权利要求1所述的堆叠存储器件,其中该多个存储器组包括相同数目的存储器层。
4.如权利要求1所述的堆叠存储器件,其中该多个X-译码器层和该多个Y-译码器层被交替布置在该多个存储器组之间。
5.如权利要求4所述的堆叠存储器件,其中每一个X-译码器层连接到该多个存储器组的相邻两个存储器组,该相邻两个存储器组被分别堆叠在每一个X-译码器层之上和之下。
6.如权利要求4所述的堆叠存储器件,其中每一个Y-译码器层连接到该多个存储器组的相邻两个存储器组,该相邻两个存储器组被分别堆叠在每一个Y-译码器层之上和之下。
7.如权利要求1所述的堆叠存储器件,其中该多个Y-译码器层包括与该多个X-译码器层交替的多对第一和第二Y-译码器层,
其中每一对第一和第二Y-译码器层的第一和第二Y-译码器层互相堆叠,以及
其中该多个X-译码器层的每一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间。
8.如权利要求7所述的堆叠存储器件,其中每一对第一和第二Y-译码器层的第一和第二Y-译码器层单独连接到该多个存储器组的相邻两个存储器组。
9.如权利要求7所述的堆叠存储器件,其中每一个X-译码器层连接到该多个存储器组的相邻两个存储器组,该相邻两个存储器组被分别堆叠在每一个X-译码器层之上和之下。
10.如权利要求1所述的堆叠存储器件,其中该多个X-译码器层包括与该多个Y-译码器层交替的多对第一和第二X-译码器层,
其中每一对第一和第二X-译码器层的第一和第二X-译码器层互相堆叠,以及
其中该多个Y-译码器层的每一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间。
11.如权利要求10所述的堆叠存储器件,其中每一对第一和第二X-译码器层的第一和第二X-译码器层单独连接到该多个存储器组的相邻两个存储器组。
12.如权利要求10所述的堆叠存储器件,其中每一个Y-译码器层连接到该多个存储器组的相邻两个存储器组,该相邻两个存储器组被分别堆叠在每一个Y-译码器层之上和之下。
13.如权利要求1所述的堆叠存储器件,其中该多个X-译码器层的每一个包括与该多个存储器组的每一个中的存储器层的数目对应的多个X-译码器对,以及
其中该多个Y-译码器层的每一个包括与该多个存储器组的每一个中的存储器层的数目对应的多个Y-译码器对。
14.如权利要求13所述的堆叠存储器件,其中每一个存储器层的存储单元被分成第一组和第二组,
其中每一个X-译码器对的X-译码器单独连接到相应的存储器层的第一组和第二组,以及
其中每一个Y-译码器对的Y-译码器单独连接到相应的存储器层的第一组和第二组。
15.如权利要求1所述的堆叠存储器件,其中该多个X-译码器层的每一个包括与该多个存储器组的每一个中的存储器层的数目对应的多个X-译码器,以及
其中该多个Y-译码器层的每一个包括与该多个存储器组的每一个中的存储器层的数目对应的多个Y-译码器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的