[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包含：

半导体芯片；

与上述半导体芯片接合的固体板；以及

介于上述半导体芯片与上述固体板之间、并由BiSn系材料构成的接合件，其中，

上述接合件具有用于提高上述半导体芯片与上述固体板之间的热传导性的由Ag构成的热传导通路。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在上述接合件中的与上述半导体芯片和/或上述固体板的界面附近，形成由Sn-Ag合金构成的金属层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述接合件中的Sn含有量超过0wt％并在4wt％以下。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

上述接合件中的Sn含有量超过1wt％并在3wt％以下。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

上述接合件中的Sn含有量超过1.5wt％并在2.5wt％以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述固体板是由金属构成的引线框架的岛。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述半导体芯片形成为300～400μm厚的四角板状。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述接合件主要含有BiSn。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在上述半导体芯片中的与上述接合件的接合面上形成含有Au、Ni、Ag的背面金属。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

在上述背面金属上形成由Ag构成的芯片镀层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

上述芯片镀层的厚度是0.1～2.0μm。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述固体板是芯片键合上述半导体芯片的裸片焊盘，

在上述裸片焊盘上形成具有1.0～10.0μm厚度的焊盘镀层。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述接合件含有比Sn多的Bi。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述接合件含有由Ag、Sn、Co、Cu、Au、Ni、Zn的至少一种构成的副成分。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述接合件的熔点是260～270℃。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，

上述接合件的熔点是260～263℃。

17.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述固体板是芯片键合上述半导体芯片的裸片焊盘，

在该裸片焊盘的周围形成与上述半导体芯片电连接的多个引线，

多个上述引线由与上述裸片焊盘相同的Cu薄板构成。

18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，

上述引线由0.1～5.0mm厚度构成。

19.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述接合件由Bi-2Sn构成。

20.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述热传导通路是在上述接合件内扩展的网状组织。

21.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述热传导通路在上述接合件内以蜘蛛网状扩展。

22.根据权利要求21所述的半导体装置，其中，

蜘蛛网状的上述热传导通路达到上述接合件的大致整个区域。