[发明专利]一种太赫兹、红外频段激光光源

权利要求书

1.一种太赫兹、红外频段激光光源，其特征在于：其包括平面金属结构层、半导体活性层和金属底板层，金属底板层为支撑层，半导体活性层和平面金属结构层依次叠于其上，形成相干表面态，放大半导体活性层电磁场场强。

2.如权利要求1所述的太赫兹、红外频段激光光源，其特征在于：所述平面金属结构层由一维或者二维周期排列的金属单元组成，或者由具有同心环结构的金属栅构成。

3.如权利要求2所述的太赫兹、红外频段激光光源，其特征在于：所述金属单元为金属条。

4.如权利要求2所述的太赫兹、红外频段激光光源，其特征在于：所述金属单元为金属方片或金属圆片。

5.如权利要求1所述的太赫兹、红外频段激光光源，其特征在于：所述平面金属结构层的周期和半导体活性层的波长相比拟。

6.如权利要求1所述的太赫兹、红外频段激光光源，其特征在于：所述相干表面态通过周期结构的平面金属结构层的金属缝隙与外界平面波相互耦合而辐射到自由空间，平面金属结构层的金属缝隙和金属单元周期长度的比值和耦合系数成反比关系。

7.如权利要求6所述的太赫兹、红外频段激光光源，其特征在于：所述平面金属结构层的金属缝隙与金属单元周期长度的比值小于0.2。

8.如权利要求1所述的太赫兹、红外频段激光光源，其特征在于：所述半导体活性层由半导体材料组成，近红外和中红外波段活性层采取禁带宽度在所需频率的相应半导体材料制成的pn结、量子阱结构或者异质结结构；远红外和太赫兹波段活性层采用量子阱结构或者超晶格结构。

9.如权利要求8所述的太赫兹、红外频段激光光源，其特征在于：所述禁带宽度在近红外和中红外波段的半导体材料选用砷化镓、硫化铅或碲镉汞。