[发明专利]双极发光场效应晶体管

权利要求书

1.一种双极发光晶体管，其包括在注入电极和空穴注入电极之间的有机半导体区，当在偏置状况下操作时，所述有机半导体区能发光，在所述偏置状况下，负电子从电子注入电极注入到有机半导体区内，和正空穴从空穴注入电极注入到有机半导体区内。

2.权利要求1的双极发光晶体管，其中电子注入电极和空穴注入电极通过限定晶体管沟道长度的距离L隔开，其中光从中发射的有机半导体区离电子注入电极和空穴注入电极二者的距离大于L/10。

3.权利要求1的双极发光晶体管，其中光从中发射的有机半导体区离电子注入电极以及空穴注入电极二者的距离大于1微米。

4.权利要求1的双极发光晶体管，其中光从中发射的有机半导体区离电子注入电极以及空穴注入电极二者的距离大于5微米。

5.对前述任何一项权利要求的双极发光晶体管设置偏置的方法，其中选择施加到晶体管的控制栅极电极上的偏压介于施加到空穴注入电极上的偏压和施加到电子注入电极上的偏压之间。

6.操作权利要求1-4任何一项的双极发光晶体管的方法，其中调节施加到控制栅极电极上的偏压，施加到空穴注入电极和电子注入电极上的偏压，使重组区域沿着晶体管的沟道移动到所需的位置上。

7.制造权利要求1-4任何一项的双极发光晶体管的方法。

8.权利要求1-4任何一项的双极发光晶体管用于晶体管内发光的用途。

9.一种电路、互补电路、逻辑电路或显示器，其包括权利要求1-4任何一项的双极发光晶体管。

10.一种制造权利要求9的电路、互补电路或逻辑电路的方法。