[发明专利]一种发光二极管无效
| 申请号： | 201010168596.8 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101820040A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;项艺;易贤;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包括依次叠加的衬底、过渡层、第一半导体层、有源层和第二半导体层，其特征在于：在有源层远离第二半导体层的一侧设置有非平面的全反射层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管为侧向结构发光二极管或者垂直结构发光二极管。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述全反射层设置于衬底远离过渡层的一侧，或者设置于衬底和过渡层之间。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：在所述全反射层和衬底之间设置有缓冲层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述缓冲层材料为SiO2、TiO2、Si、SiNx、ZnO、ZrO2中的一种或者一种以上的组合。
6.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述全反射层设置于第一半导体层和有源层之间。
7.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述全反射层由至少一层第一折射率材料层和至少一层第二折射率材料层交替叠加构成，所述第一折射率材料层的折射率小于第二折射率材料层的折射率。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一折射率材料层的层数和第二折射率材料层的层数分别为1至15层。
9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一折射率材料层和第二折射率材料层的厚度为0.05μm至5μm。
10.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一折射率材料为SiO、SiO2中的一种或者一种以上的组合。
11.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第二折射率材料为TiO2、Si、SiNx、ZnO、ZrO2中的一种或者一种以上的组合。
12.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一折射率材料为GaN、ZnO、ZrO2、InGaN、AlInGaN中的一种或者一种以上的组合；所述第二折射率材料为GaN、Si、InGaN、AlInGaN中的一种或者一种以上的组合。
13.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述衬底材料为蓝宝石、SiC、Si或者GaN。
14.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一半导体层为N型氮化镓层，所述第二半导体层为P型氮化镓层。
15.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管远离第二半导体层一侧的外表面设置背金层。
16.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于：所述背金层材料为Ag、Pt、Ni、Au、Al、Cr中的一种或者一种以上的组合。
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