[发明专利]晶片加工用带

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于将半导体晶片切断为半导体元件(芯片)的切割工序和将切断的芯片与引线架及其他芯片粘接的小片接合工序(ダイボンデイング)两个工序的晶片加工用带。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，实施将半导体晶片切断为芯片单元(切割)的工序、拾取切断的半导体元件(芯片)的工序、进一步将拾取的芯片粘接于引线架及封装基板等的小片接合(密封)工序。

作为用于上述半导体装置的制造工序的晶片加工用带，公知的是在基材膜上，粘合剂(粘着剤)层和粘接剂(接着剤)层依次形成的切割小片接合片(例如参照专利文献1)。

用于这样的切割小片接合片的粘接剂层多含有环氧树脂等低分子量物质，与通常用于切割带的粘合剂层比较时，具有变软而切削性变差的倾向。因此，存在如下问题点，即，在切割时，产生较多半导体晶片的须状的切削屑及粘接剂层的切割残留(飞边)，容易在切割后的拾取工序中产生拾取不良，容易产生IC等半导体装置的安装工序中的芯片的粘接不良或产生IC等的不良品。

因此，作为用于解决这样的问题的晶片加工用带，公知的为一种在基材膜上依次层压有中间树脂层、粘合剂层、粘接剂层的半导体加工用带，其特征在于，中间树脂层的80℃下的储存弹性模量比粘合剂层的80℃下的储存弹性模量大(例如，参照专利文献2)。

[专利文献1]日本特开2005-303275号公报

[专利文献2]日本特开2006-49509号公报

但是，在上述专利文献2中记载的晶片加工用带中，由于粘合剂层及粘接剂层的厚度、粘合剂层及粘接剂层的弹性模量，在切割时容易发生粘接剂层和粘合剂层的熔融，因此，存在如下问题，即，在粘接剂层、粘合剂层等上产生切割残留(飞边)，由于该切割残留的影响，在拾取时产生邻接芯片(单片化的带粘接剂层的半导体芯片)一被同拾起的错误(双芯片错误)。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种可以抑制在拾取(pick up)工序中邻接芯片被一同拾起的双芯片错误的产生的晶片加工用带。

本发明人等发现，使用具有由基材膜和设置在该基材膜上的粘合剂层构成的粘合膜、和设置在粘合剂层上的粘接剂层的晶片加工用带制造半导体装置的情况下，在粘接剂层受到切割刀产生的压入的力时，如果粘接剂层不易变形(弹性变形)，则可以抑制在拾取工序中邻接芯片一同拾起的双芯片错误的发生。其理由被认为是：如果粘接剂层不易变形，则粘接剂层从半导体芯片的溢出减少，不会产生溢出的粘接剂层的再熔接。本发明是根据上述见解而完成的。

本发明的晶片加工用带具有由基材膜和设置在基材膜上的粘合剂层构成的粘合膜、以及设置在所述粘合剂层上的粘接剂层，其特征在于，将所述粘接剂层的厚度设为t(ad)[μm]、所述粘接剂层的80℃下的储存弹性模量设为G’(80ad)[MPa]、所述粘接剂层的80℃下的tanδ设为tanδ(80ad)、所述粘合膜的厚度设为t(film)[μm]、所述粘合膜的80℃下的tanδ设为tanδ(80film)时，用式(1)表示的值A为0.043以上。

式(1)