[发明专利]微型麦克风

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种麦克风，尤其涉及一种能适用于多数电子产品的便携式微型麦克风。 

【背景技术】

随着无线通讯和电子技术的迅速发展，全球移动电话用户越来越多，人们对移动电话的要求不仅仅限于基本通话，还要求有高质量的通话效果和小巧轻便的便携式结构，而麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响移动电话的性能。 

现如今，广为人们使用的电容麦克风的内部结构均设有振膜和背板两个电极层，通过改变振膜和背板之间的距离，来改变由振膜和背板二者形成的电场内的电压，从而形成电信号。而这种电容麦克风的输出阻抗较高，抗干扰性差，为提高信噪比，通常在麦克风装置内需设阻抗变换器来匹配电信号。但太多的电路元件的配合又不利于产品的小型化和高集成度。 

因此，有必要提供一种新型的微型麦克风来解决上述问题。 

【发明内容】

本发明需解决的技术问题在于提供一种结构简单、利于集成的微型麦克风。 

本发明通过这样的技术方案解决技术问题： 

一种微型麦克风，其中，该微型麦克风包括构成MOS管的半导体基底、设置在半导体基底的中央处且设有容纳空气的绝缘槽及位于绝缘槽上并受空气驱动而振动的金属板。 

作为本发明的一种改进，所述半导体基底包括掺杂浓度较低的P型硅衬底及位于P型硅衬底两端的高掺杂浓度N区，所述N区上设有金属电极。 

作为本发明的一种改进，所述半导体基底包括掺杂浓度较低的N型硅 衬底及位于N型硅衬底两端的高掺杂浓度P区，所述P区上设有金属电极。 

作为本发明的一种改进，所述绝缘槽是由二氧化硅制成的。 

作为本发明的一种改进，所述金属板是由铝制成的。 

本发明具有以下优点：将构成MOS管的金属层-绝缘层-半导体的结构应用在微型麦克风中，即半导体基底作为微型麦克风的基底，并在其上设置容纳空气的绝缘槽和受空气驱动而振动的金属板，使得该结构的微型麦克风结构更加简单且输出阻抗低，可以省去阻抗变换器的设计，即可达到高信噪比的效果，为微型麦克风的高集成度和小型化的发展提供了有利条件。 

【附图说明】

图1为本发明微型麦克风的示意图。 

【具体实施方式】

下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。 

本发明中的微型麦克风是将声音信号转换为电信号，并且结构简单、易于集成。 

如图1所示，该微型麦克风10包括构成MOS管的半导体基底11、位于半导体基底11的中央处的绝缘槽12和位于绝缘槽12上的金属板13。 

半导体基底11包括一掺杂浓度较低的硅衬底110，在本实施方式中，硅衬底110可以是掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底，当然也可以是掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底。硅衬底110上区别于中央位置处的两端上设有高掺杂浓度区111，且其上沉积有金属铝作为电极。若硅衬底110是掺杂浓度较低的P型半导体，则高掺杂浓度区111为N区，即形成NPN型的半导体基底；若硅衬底110是掺杂浓度较低的N型半导体，则高掺杂浓度区111为P区，即形成PNP型的半导体基底。无论是NPN型半导体基底还是PNP型半导体基底，设置在高掺杂浓度P(或N)区的两个电极在MOS管中即为漏极和源极。 

在硅衬底的中央处，即漏极和源极的之间位置设有绝缘槽12，在本实施方式中，绝缘槽12是由二氧化硅制成的。绝缘槽12内设有能和外界进 行气体交换的气孔(未示出)。绝缘槽12上设有受其支撑并与绝缘槽内的气体直接接触的金属板13。在本实施方式中金属板13是由很薄的铝制成的，在MOS管中，可将其视为栅极。 

当在栅极和源极之间加一正电压时，在栅极和半导体基底之间的绝缘槽12中便产生一个由栅极指向半导体基底的电场，由于绝缘槽12的存在，使之形成电容。当声音信号通过绝缘槽12而促使金属板13振动时，半导体基底和金属板13之间的距离变化，进而产生与声音信号相对应的电信号。且输出电信号的阻抗低，可以很好地满足高信噪比的要求。 

综上，由于将构成MOS管的金属层-绝缘层-半导体的结构应用在微型麦克风中，即半导体基底作为微型麦克风的基底，并在其上设置容纳空气的绝缘槽和受空气驱动而振动的金属板，使得该结构的微型麦克风结构更加简单且输出阻抗低，可以省去阻抗变换器的设计，即可达到高信噪比的效果，为微型麦克风的高集成度和小型化的发展提供了有利条件。 

以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。