[发明专利]计算补偿电压与调整阀值电压方法及存储器装置与控制器有效
申请号: | 201010167276.0 | 申请日: | 2010-04-27 |
公开(公告)号: | CN102237139A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 曾建富;赖国欣;梁立群 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/06 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 计算 补偿 电压 调整 方法 存储器 装置 控制器 | ||
1.一种调整阀值电压的方法,适用于可复写式非易失性存储器,该方法包括:
写入数据至该可复写式非易失性存储器中;
从该可复写式非易失性存储器中读取该数据,其中该数据至少对应至该可复写式非易失性存储器的多个储存状态的其中之一,其中所述储存状态的电压范围是由至少一阀值电压来区分;
比对所读取的数据与所写入的数据获得错误位元信息;
依据该错误位元信息计算该阀值电压的补偿电压;以及
通过该补偿电压来调整该阀值电压。
2.根据权利要求1所述的调整阀值电压的方法,其中该可复写式非易失性存储器具有多条字元线,且每一所述所述字元线具有多个页面,
其中该方法更包括在写入该数据至该可复写式非易失性存储器中的步骤之前判断该可复写式非易失性存储器的所述字元线其中之一所发生的错误位元数是否大于第一预设值,并且
其中写入该数据至该可复写式非易失性存储器中的步骤是在当该可复写式非易失性存储器的所述字元线其中之一所发生的错误位元数大于该第一预设值时被执行。
3.根据权利要求1所述的调整阀值电压的方法,其中所述储存状态包括第一储存状态与第二储存状态,该第一储存状态与该第二储存状态的电压范围相邻,且该第一储存状态的电压范围以及该第二储存状态的电压范围是由该阀值电压来区分,该数据包括多笔位元数据,该错误位元信息包括所述位元数据的错误位元数,
其中比对所读取的数据与所写入的数据获得该错误位元信息的步骤包括:
统计所述位元数据之中在写入时为该第一储存状态而在读取时为该第二储存状态的第一错误位元数;以及
统计所述位元数据之中在写入时为该第二储存状态而在读取时为该第一储存状态的第二错误位元数。
4.根据权利要求3所述的调整阀值电压的方法,其中依据该错误位元信息计算该阀值电压的补偿电压的步骤包括:
依据该第一错误位元数与该第二错误位元数计算该阀值电压的补偿电压。
5.根据权利要求3所述的调整阀值电压的方法,其中该可复写式非易失性存储器至少包括快速页面以及慢速页面,写入该数据至该可复写式非易失性存储器的步骤包括:
判断该错误位元数大于第一预设值的页面为该快速页面或该慢速页面。
6.根据权利要求5所述的调整阀值电压的方法,其中在判断该错误位元数大于该第一预设值的页面为该快速页面或该慢速页面的步骤之后包括:
当判定该错误位元数大于该第一预设值的页面为该快速页面时,自该快速页面的错误位元位置读取出对应的位元数据,并且依据所述位元数据来统计该快速页面的该第一错误位元数与该第二错误位元数。
7.根据权利要求5所述的调整阀值电压的方法,其中在判断该错误位元数大于该第一预设值的页面为该快速页面或该慢速页面的步骤之后包括:
当判定该错误位元数大于该第一预设值的页面为该慢速页面时,自该慢速页面的错误位元位置读取出该慢速页面对应的位元数据;
依据该慢速页面的错误位元位置,读取该快速页面对应的位元数据;以及
依据该快速页面的位元数据与该慢速页面的位元数据,统计该慢速页面的该第一错误位元数与该第二错误位元数。
8.根据权利要求1所述的调整阀值电压的方法,其中在获得该错误位元信息的步骤之后,更包括:
判断该错误位元信息中的错误位元数是否大于第二预设值;以及
当该错误位元数大于该第二预设值时,执行计算该阀值电压的补偿电压的步骤。
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