[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基板；

第一布线，所述第一布线被形成在所述半导体基板上；

第二布线，所述第二布线被形成为与所述第一布线交叉并且在所述第一布线和所述第二布线相互交叉的交叉部分处在其间插有间隔；

保护膜，所述保护膜被形成在所述半导体基板上以覆盖所述第一布线的至少一部分，所述部分位于所述交叉部分中的所述第二布线的下方；以及

绝缘膜，所述绝缘膜以岛状被形成在所述交叉部分中的第二布线的下方的保护膜上，以位于所述保护膜的边缘之间并且覆盖所述交叉部分中的第一布线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜由通过旋涂工艺或者印制工艺形成的材料形成。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜以均匀的厚度形成在所述第一布线的上表面和侧表面上。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜的边缘位于所述第一布线的边缘的外部。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜比所述保护膜厚。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜具有等于或者大于0.5μm的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护膜具有等于或者小于0.2μm的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述交叉部分中所述第一布线和所述第二布线之间的距离等于或者大于1.0μm。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一布线和所述第二布线中的一个是栅电极并且另一个是源电极。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一布线和所述第二布线中的一个是漏电极并且另一个是源电极。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜具有3.5或者更小的相对介电常数。

12.一种半导体器件的制造方法，包括：

在半导体基板上形成第一布线；

形成第二布线以与所述第一布线交叉并且在所述第一布线和所述第二布线相互交叉的交叉部分处在其间插有间隔；

在所述半导体基板上形成保护膜以覆盖所述第一布线的至少一部分，所述部分位于所述交叉部分中的第二布线的下方；以及

在所述交叉部分中的第二布线的下方的保护膜上以岛状形成绝缘膜以位于所述保护膜的边缘之间并且覆盖所述交叉部分中的第一布线。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中通过旋涂工艺或者印制工艺来执行形成所述绝缘膜。

14.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中通过曝光和显影具有感光性的绝缘材料来执行所述形成所述绝缘膜。

15.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中所述绝缘膜的边缘位于所述第一布线的边缘的外部。

16.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中所述绝缘膜比所述保护膜厚。

17.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中所述绝缘膜具有等于或者大于0.5μm的厚度。

18.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中所述保护膜具有等于或者小于0.2μm的厚度。

19.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中所述交叉部分中所述第一布线和所述第二布线之间的距离等于或者大于1.0μm。

20.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中所述第一布线和所述第二布线中的一个是栅电极并且另一个是源电极。

21.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中所述第一布线和所述第二布线中的一个是漏电极并且另一个是源电极。

22.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中所述绝缘膜具有3.5或者更小的相对介电常数。