[发明专利]连续浇铸单晶硅带的设备和方法

权利要求书

1.一种设备，用于形成硅带，该设备包括：

一坩锅，被设置为容纳硅熔融物；

一管道，与坩锅相邻并被设置为允许熔融物流经其中；

一管道加热系统，与管道相邻并被设置为控制流经管道的熔融物的温度；以及

一固定器，被设置为支撑硅种晶与熔融物接触并进一步被设定为沿大致水平方向移动硅种晶。

2.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

一隔热腔，坩锅被容纳在隔热腔内。

3.如权利要求2所述的设备，其中管道和管道加热元件被容纳在隔热腔内。

4.如权利要求2所述的设备，进一步包括：

一进气口，被设置为将保护性气体导入隔热腔。

5.如权利要求2所述的设备，进一步包括：

一真空泵，被设置为在隔热腔内制造真空。

6.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

一热控制区域，与管道相邻并被设置为在熔融物固化之后热处理熔融物。

7.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

一切割系统，与管道相邻并被设置为在熔融物固化之后切割熔融物。

8.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

一牵引系统，与管道相邻并被设置为沿大致水平方向牵引熔融物的固化部分。

9.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

一坩锅加热系统，与坩锅相邻并被设置为将硅熔融物维持在液体状态。

10.一种方法，用于形成硅带，该方法包括：

加热容器中的硅以形成熔融物；

沿大致水平方向将部分熔融物导出容器；以及

当部分熔融物移出容器并固化时，通过将部分熔融物与种晶接触来促进单晶硅的形成。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包括：

将容器大致封闭在隔热腔内。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包括：

在隔热腔内制造真空。

13.如权利要求12所述的方法，进一步包括：

将隔热腔大致填充保护性气体。

14.如权利要求10所述的方法，进一步包括：

当部分熔融物移出容器时，热控制部分熔融物固化的速度。

15.如权利要求14所述的方法，其中热控制步骤和固化发生在包括容器的隔热腔内。

16.如权利要求10所述的方法，进一步包括：

选择流速使得部分熔融物被导出以使得部分熔融物固化之后形成具有少于大约250微米的厚度的硅带。

17.如权利要求10所述的方法，进一步包括：

在固化之后热处理部分熔融物以减小其中的内部应力。

18.如权利要求10所述的方法，进一步包括：

在部分熔融物固化之后使用机械装置实现部分熔融物沿大致水平方向的移动。

19.如权利要求10所述的方法，进一步包括：

在固化之后切割部分熔融物。

20.一种设备，用于形成硅带，该设备包括：

用于加热硅以形成熔融物的装置；

用于将部分熔融物沿大致水平方向导出加热用装置的装置；

用于当部分用加热用装置移出时控制部分熔融物如何快速冷却的装置；以及

用于促进单晶硅形成的装置，其中用于促进的装置被放置为当部分熔融物从加热用装置移出并固化时与部分熔融物接触。