[发明专利]一种低温热压键合方法

权利要求书

1.一种低温热压键合方法，首先在衬底上制作一层合金薄膜，然后通过选择性腐蚀工艺腐蚀掉该合金薄膜中的部分组分，使上述合金薄膜变成一层多孔纳米结构，利用该多孔纳米结构作为键合层，实施热压键合。

2.如权利要求1所述的一种低温热压键合方法，其特征在于，所述合金为二元合金，所述选择性腐蚀工艺腐蚀掉所述合金薄膜中的一种组分，使所述的多孔纳米结构为由另一种组分构成的多孔纳米结构。

3.如权利要求1或2所述的一种低温热压键合方法，其特征在于，所述的二元合金为Cu-Zn合金、Cu-Al合金或Au-Ag合金，相应地，所述选择性腐蚀工艺腐蚀掉的组分分别为Zn、Al或Ag。

4.如权利要求1-3之一所述的一种低温热压键合方法，其特征在于，所述热压键合的温度为150-300℃，压强为1-10MPa。

5.如权利要求1-4之一所述的一种低温热压键合方法，其特征在于，所述选择性腐蚀选用的腐蚀液为NaOH溶液、HCl溶液或HNO₃溶液。

6.如权利要求1-5之一所述的一种低温热压键合方法，其特征在于，所述合金薄膜厚度为0.5～10μm。

7.如权利要求1-6之一所述的一种低温热压键合方法，其特征在于，所述多孔纳米结构的孔洞尺寸和韧带尺寸在1nm～100nm之间。