[发明专利]半导体激光治疗系统无效
| 申请号: | 201010165122.8 | 申请日: | 2010-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN102233157A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
| 发明(设计)人: | 胡必章 | 申请(专利权)人: | 胡必章 |
| 主分类号: | A61N5/067 | 分类号: | A61N5/067 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 411236 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 激光治疗 系统 | ||
1.一种半导体激光治疗系统,包括半导体激光触头与控制器本体,其特征在于:所述控制器本体由中央处理器模块(1)、电源模块(2)、激光发生处理单元(4)、控制单元(7)、脉冲发生处理单元(10)及音乐解码单元(12)组成,所述中央处理模块(1)的输出端分别连接激光发生处理单元(4)、脉冲发生处理单元(10)及音乐解码单元(12),中央处理器模块(1)外部设有控制单元(7),所述半导体激光触头与控制单元(7)的输出控制端连接。
2.根据权利要求1所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述控制器本体内部安装电源模块(2)。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述控制器本体表面设有显示模块(3)。
4.根据权利要求1所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述半导体激光触头外部设有一弯曲的导向管并与一头夹装置连接。
5.根据权利要求1所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述中央处理器模块(1)外部配有通信单元(5)与存储单元(13)。
6.根据权利要求1所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述控制单元(7)内设置定时电路。
7.根据权利要求1所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述半导体激光触头的工作波长为650nm,其工作电压为直流3.7V。
8.根据权利要求1或6所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述控制单元(7)两侧分别配有实时时钟模块(6)与输出调节模块(8)。
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