[发明专利]半导体激光治疗系统无效

专利信息
申请号: 201010165122.8 申请日: 2010-05-07
公开(公告)号: CN102233157A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 胡必章 申请(专利权)人: 胡必章
主分类号: A61N5/067 分类号: A61N5/067
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 411236 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 激光治疗 系统
【权利要求书】:

1.一种半导体激光治疗系统,包括半导体激光触头与控制器本体,其特征在于:所述控制器本体由中央处理器模块(1)、电源模块(2)、激光发生处理单元(4)、控制单元(7)、脉冲发生处理单元(10)及音乐解码单元(12)组成,所述中央处理模块(1)的输出端分别连接激光发生处理单元(4)、脉冲发生处理单元(10)及音乐解码单元(12),中央处理器模块(1)外部设有控制单元(7),所述半导体激光触头与控制单元(7)的输出控制端连接。

2.根据权利要求1所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述控制器本体内部安装电源模块(2)。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述控制器本体表面设有显示模块(3)。

4.根据权利要求1所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述半导体激光触头外部设有一弯曲的导向管并与一头夹装置连接。

5.根据权利要求1所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述中央处理器模块(1)外部配有通信单元(5)与存储单元(13)。

6.根据权利要求1所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述控制单元(7)内设置定时电路。

7.根据权利要求1所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述半导体激光触头的工作波长为650nm,其工作电压为直流3.7V。

8.根据权利要求1或6所述的半导体激光治疗系统,其特征在于:所述控制单元(7)两侧分别配有实时时钟模块(6)与输出调节模块(8)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡必章,未经胡必章许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010165122.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top