[发明专利]SCR静电保护器件

权利要求书

1.一种SCR静电保护器件，包括：

P阱和N阱，位于衬底内，所述P阱和所述N阱相连；

第一P型注入区和第一N型注入区，位于所述P阱内，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区之间用浅沟槽隔离；

第二P型注入区和第二N型注入区，位于所述N阱内，所述第二P型注入区和所述第二N型注入区之间用浅沟槽隔离；

其特征在于所述保护器件还包括：

第一电阻，其一端连接于所述第一P型注入区；

第二电阻，其一端连接于所述第二N型注入区。

2.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述第一电阻的另一端连接阴极。

3.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述第一N型注入区连接阴极。

4.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述第二电阻的另一端连接阳极。

5.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述第二P型注入区连接阴极。

6.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述保护器件还包括N⁺注入区，所述N⁺注入区位于所述P阱和所述N阱的交界区域内。

7.根据权利要求6所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述保护器件还包括轻掺杂漏极区和光环区，所述轻掺杂漏极区和所述光环区位于所述P阱内，且均和所述N⁺注入区相连。

8.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述衬底为P型衬底。

9.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述保护器件应用于触发电压为10伏特至100伏特的半导体静电保护电路中。

10.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述第一电阻和所述第二电阻均为滑动变阻器。