[发明专利]SiGe异质结双极型晶体管及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体晶体管及其制备方法，尤其涉及一种SiGe异质结双极型晶体管及其制备方法。

背景技术

异质结双极型晶体管是目前SiGe器件的研究重点之一。SiGe异质结双极型晶体管性能最优化有赖于在器件设计和制造中，充分发挥“掺杂工程”和“能带工程”的优点。在SiGe异质结晶体管中，基区材料的带隙小于发射区，因此掺杂区不必重掺杂，基区则可以重掺杂，这样基区电阻小、噪声低、注入效率高，可降低发射结的隧道效应、穿通效应和电容。基区还可以做的很薄，能够缩短基区渡越时间，提高响应频率。SiGe异质结双极型晶体管的发展使双极型晶体管和双极型集成电路在数字、模拟、微波、低温等方面的性能和应用有所突破和提高。

如图1所示，图1为传统的第二SiGe异质结双极型晶体管2的结构剖视图。所述第二SiGe异质结双极型晶体管2包括：第二p型衬底21、形成在第二p型衬底21上的第二集电区22、形成在第二集电区22上的第二浅沟槽隔离23、纵向紧邻第二浅沟槽隔离23且贯穿第二集电区22直至第二p型衬底21的第二深沟槽隔离24、在第二集电区22上外延生长的第二SiGe层25、形成在第二浅沟槽隔离23上且与第二SiGe层25有部分重叠的第二多晶硅层26、形成在第二SiGe层25上的第二发射区27、形成在第二发射区27两侧的第二侧墙28、形成在第二多晶硅层26上的第二基极261、形成在第二集电区22上的第二集电极221以及形成在第二发射区27上的第二发射极271。其中，第二深沟槽隔离24有效的起到了元件之间物理电气之间的隔离。所述第二深沟槽隔离24所采用的深槽技术，包括深槽隔离、深槽填充和表面平整化三个主要工艺步骤。一般选用各向异性好的反应离子刻蚀技术进行刻蚀，以得到窄而陡直的第二深沟槽隔离24。在对第二深沟槽隔离24表面热氧化之后用绝缘介质填充，以得到性能良好的隔离性能。第二深沟槽隔离24与二氧化硅隔离相比来说，隔离区所占面积小，且有利于提高第二SiGe异质结双极型晶体管2的电气隔离，有利于提高第二SiGe异质结双极型晶体管2的最高振荡频率。但是，这道深槽技术中的若干工艺参数都将会对电路的性能产生重大影响，且用于第二深沟槽隔离24的集成电路的工艺设备价格昂贵，工艺过程耗资巨大。另一方面，随着深沟槽隔离24深度的增加，其工艺生产的难度和制造成本都将有很大程度的提高。反之，如果深沟槽隔离24未能达到预定的深度，则将无助于最大有效功率增益和最高振荡频率的提高，反而增加工艺难度。因此，采用传统的深槽技术必将不适应现代工艺的需要。

针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明SiGe异质结双极型晶体管及其制备方法。

发明内容

本发明的目的是针对在现有技术中，传统的SiGe异质结双极型晶体管通过采用浅沟槽隔离和深沟槽隔离相结合的技术，进行元件之间的物理电气隔离所产生的工艺难度增大和制造成本提高的缺陷，提供一种新型的SiGe异质结双极型晶体管的结构。

本发明的又一目的是针对在现有技术中，传统的SiGe异质结双极型晶体管通过采用浅沟槽隔离和深沟槽隔离相结合的技术，进行元件之间的物理电气隔离所产生的工艺难度增大和制造成本提高的缺陷，提供一种新型的SiGe异质结双极型晶体管的制备方法。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：一种SiGe异质结双极型晶体管，包括：衬底；在衬底上生长的集电区；形成在集电区内的浅沟槽隔离；在集电区上外延生长的SiGe层；形成在SiGe层上的基极；形成在SiGe层上的发射区；形成在发射区上的发射极；以及形成在集电区上的集电极；其中，所述集电区进一步包括在衬底上采用离子布植的方式形成的抗穿通层和在所述抗穿通层上形成的n型埋层。所述抗穿通层是p型袋域布植的抗穿通层。所述浅隔离沟槽采用绝缘物介质填充。所述绝缘物介质为二氧化硅、氮化硅和多晶硅。所述的离子布植的方式为倾斜角度的离子布植方式和角度旋转的离子布植方式。

为达到上述又一目的，本发明采用如下的技术方案：一种制备所述的SiGe异质结双极型晶体管的制备方法，包括：提供衬底；浅沟槽隔离的制备；抗穿通层的制备；n型埋层的制备；SiGe层的外延生长；集电极、基极、发射极的制备。所述SiGe异质结双极型晶体管的制备方法进一步包括在集电极下方的区域进行n型重掺杂离子注入。所述衬底为p型衬底。