[发明专利]CMP修整器及其制造方法无效
| 申请号: | 201010164685.5 | 申请日: | 2010-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN101870086A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
| 发明(设计)人: | 清水章弘 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号: | B24B53/12 | 分类号: | B24B53/12 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王琦;王珍仙 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cmp 修整 及其 制造 方法 | ||
1.一种CMP修整器,在与CMP装置的抛光垫对向接触的修整面上固定有金刚石磨料,其特征在于,
所述金刚石磨料通过金属镀层固定在CMP修整器主体上,所述CMP修整器主体由树脂构成。
2.根据权利要求1所述的CMP修整器,其特征在于,
在包含所述金刚石磨料的金属镀层和所述主体分别作为单独的部件形成后,接合为一体。
3.根据权利要求1所述的CMP修整器,其特征在于,
在所述金属镀层的外周端部设置有沿着所述主体的侧面部在全周、于所述金属镀层的厚度方向上弯曲的弯曲部。
4.根据权利要求1所述的CMP修整器,其特征在于,
所述CMP修整器主体由聚苯醚、聚苯硫醚等工程树脂构成。
5.一种制造方法,用于制造在与CMP装置的抛光垫对向接触的修整面上固定有金刚石磨料的CMP修整器,其特征在于,所述制造方法包括:
在CMP修整器主体上的修整面上形成衬底镀层的工序;
在所述衬底镀层上形成Ni打底镀层的工序;
在所述Ni打底镀层上排列金刚石磨料的工序;
在所述Ni打底镀层上使埋入镀层进一步成长并固定所述金刚石磨料的工序;和
用涂层覆盖所述修整面的整体的工序。
6.一种制造方法,用于制造在与CMP装置的抛光垫对向接触的修整面上固定有金刚石磨料的CMP修整器,其特征在于,所述制造方法包括:
在金属镀层成长用基板上形成衬底镀层的工序;
在所述衬底镀层上形成Ni打底镀层的工序;
在所述Ni打底镀层上排列金刚石磨料的工序;
在所述Ni打底镀层上使埋入镀层成长并固定所述金刚石磨料的工序;
用涂层覆盖所述修整面的整体的工序;和
将包含所述金刚石磨料的金属镀层从所述成长用基板剥离并粘贴在树脂制CMP修整器主体的所述修整面上的工序。
7.根据权利要求5或6所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法进一步包括:
形成所述衬底镀层后,在所述衬底镀层上粘贴具有规定图案穿孔的掩模,在所述掩模的孔图案内排列金刚石磨料的工序;和
通过底镀层预固定所述金刚石磨料,随后剥离所述掩模,使埋入镀层成长并正式固定所述金刚石磨料的工序。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,
预固定所述金刚石磨料的工序和正式固定所述金刚石磨料的工序分别分多次进行。
9.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,进一步包括:
在包含所述金刚石磨料的金属镀层的外周端部,使在所述金属镀层的厚度方向上弯曲的弯曲部与所述金属镀层一体成长的工序。
10.一种CMP垫修整器,具备基材和配置在所述基材上并在表面上突出形成切削刃的金属板,
所述CMP垫修整器通过所述切削刃对与所述表面对置的CMP垫实施磨削加工,其特征在于,
所述基材由树脂材料构成,
所述基材与所述金属板通过粘接剂相互粘接,
在所述基材的朝向所述金属板侧的面和所述金属板的朝向所述基材侧的面中的至少一面上,有向对向的所述面突出,并且形成顶端与该面抵接的突部。
11.根据权利要求10所述的CMP垫修整器,其特征在于,
所述突部的顶端形成在对应于与该突部对向的所述面的平面上。
12.根据权利要求10所述的CMP垫修整器,其特征在于,
所述突部形成有多个,被设定为从形成该突部的所述面突出的高度彼此相同。
13.根据权利要求10所述的CMP垫修整器,其特征在于,
在所述金属板的外周部形成有沿着所述金属板的厚度方向并覆盖所述基材的外周部的筒状的盖部。
14.根据权利要求10所述的CMP垫修整器,其特征在于,
在所述基材的朝向所述金属板侧的面的外周缘部形成有凸曲面部,
在所述金属板的朝向所述基材侧的面的外周缘部形成有对应于所述凸曲面部的形状的凹曲面部。
15.根据权利要求13或14所述的CMP垫修整器,其特征在于,
在所述基材上形成有与所述盖部的开口边缘部抵接的环状折边部。
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