[发明专利]横向半导体部件

权利要求书

1.具有横向晶体管部件的半导体部件装置，包括：

电绝缘载体层；

该载体层上的第一和第二半导体层，其被布置成一个在另一个上方并且通过电介质层彼此隔开以及其中至少第一半导体层包括多晶半导体材料、非晶半导体材料或有机半导体材料；

在第一半导体层中：源区、主体区、漂移区和漏区；

在第二半导体层中：邻近漂移区布置的漂移控制区，包括在第一横向末端的用于施加控制电位的控制端子并且在第二横向末端经由整流元件耦合到漏区；

栅电极，邻近主体区布置并且通过栅电介质层与主体区电介质绝缘。

2.权利要求1的半导体部件装置，其中载体层被布置在半导体主体上，且其中其它半导体部件被布置在该半导体主体中，这些部件连接到横向晶体管部件的栅电极、源区或漏区。

3.权利要求1的半导体部件装置，其中薄膜部件被集成在载体层中，该薄膜部件连接到横向晶体管部件的栅电极、源区或漏区。

4.权利要求1的半导体部件装置，其中第二半导体层包括多晶或非晶半导体材料或无机半导体材料。

5.权利要求1的半导体部件装置，其中整流元件被极化以使得在阻断晶体管部件时防止使漂移控制区放电至漏区的电位。

6.权利要求1的半导体部件装置，其中电容性存储元件连接到漂移控制区的控制端子。

7.权利要求1的半导体部件装置，其中漂移控制区的控制端子经由整流元件耦合到栅电极。

8.一种具有横向晶体管部件的半导体部件装置，包括：

电绝缘载体层；

该载体层上的第一和第二半导体层，其被布置成一个在另一个上方并且通过电介质层彼此隔开以及其中至少第一半导体层包括多晶半导体材料或非晶半导体材料或无机半导体材料；

在第一半导体层中：形成pn结或肖特基结的第一和第二部件区；

在第二半导体层中：漂移控制区，邻近第二部件区布置、包括在第一横向末端的用于施加控制电位的控制端子并且在第二横向末端经由整流元件耦合到第二部件区。

9.权利要求8的半导体部件装置，其中载体层被布置在半导体主体上，且其中其它半导体部件被集成在该半导体主体中，其它半导体部件连接到第一或第二部件区。

10.权利要求8的半导体部件装置，其中薄膜部件被集成在载体层中，该薄膜部件连接到第一或第二部件区。

11.权利要求8的半导体部件装置，其中第二半导体层包括多晶或非晶半导体材料或有机半导体材料。

12.权利要求8的半导体部件装置，其中整流元件被极化以使得在阻断晶体管部件时防止使漂移控制区放电至第二部件区的电位。

13.权利要求8的半导体部件装置，其中电容性存储元件连接到漂移控制区的控制端子。

14.一种具有横向晶体管部件的半导体部件装置，包括：

电绝缘载体层，具有大于100nm的厚度；

该载体层上的第一和第二半导体层，其被布置成一个在另一个上方并且通过电介质层彼此隔开；

在第一半导体层中：源区、主体区、漂移区和漏区；

在第二半导体层中：漂移控制区，邻近漂移区布置、包括在第一横向末端的用于施加控制电位的控制端子并且在第二横向末端经由整流元件耦合到漏区；

栅电极，邻近主体区布置并且通过栅电介质层与主体区电介质绝缘。

15.权利要求14的半导体部件装置，其中载体层包括玻璃。

16.半导体部件，包括：

第一和第二半导体层，彼此邻近布置并且通过电介质层彼此隔开以及其中至少第一半导体层包括多晶半导体材料和非晶半导体材料或有机半导体材料；

在第一半导体层中：源区、主体区、漂移区和漏区；

在第二半导体层中：漂移控制区，邻近漂移区布置、包括在第一横向末端的用于施加控制电位的控制端子并且在第二横向末端经由整流元件耦合到漏区；

栅电极，邻近主体区布置并且通过栅电介质层与主体区电介质绝缘。