[发明专利]一种多边形电极的压电薄膜体声波传感器无效
申请号: | 201010164347.1 | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN101846653A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 顾豪爽;熊娟;吴雯;杜鹏飞;胡明哲;胡永民 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | G01N29/036 | 分类号: | G01N29/036;B81B3/00 |
代理公司: | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人: | 丁齐旭 |
地址: | 430062 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多边形 电极 压电 薄膜 声波 传感器 | ||
1.一种具有多边形电极的薄膜体声波传感器,包括衬底、压电薄膜、上下金属电极、电极引线以及覆盖在上电极表面的敏感膜,其特征在于压电薄膜两表面的上下电极有一个或者两个是多边形,该多边形为任意两边不平行、内角均为钝角、边数小于10的多边形。
2.根据权利要求1所述的具有多边形电极的薄膜体声波传感器,其特征在于压电薄膜两表面的上下电极有一个为任意两边不平行、内角均为钝角、边数小于10的多边形时,其面积小于另一个金属电极的面积。
3.根据权利要求1或2所述的具有多边形电极的薄膜体声波传感器,其特征在于所述的多边形可以是正五边形、非正五边形、正七边形、非正七边形、正九边形、非正九边形、非正六边形、非正八边形等,其中正五边形的效果最好。
4.根据权利要求1或2所述的具有多边形电极的薄膜体声波传感器,其特征在于所述的压电薄膜是c轴择优取向或c轴倾斜择优取向的压电薄膜。
5.根据权利要求1或2所述的具有多边形电极的薄膜体声波传感器,其特征在于所述的压电薄膜是生长在Si衬底或GaAs衬底表面。
6.根据权利要求1或2所述的具有多边形电极的薄膜体声波传感器,其特征在于所述的覆盖在上电极表面的敏感膜是Au、Pt、Pb、ZnO金属催化物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北大学,未经湖北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010164347.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。