[发明专利]显示装置和驱动控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置和驱动控制方法，更具体地，涉及执行迁移率校正的显示装置和驱动控制方法。

背景技术

近些年来，已经并且正积极地开发将有机电致发光(EL)元件用作发光元件的平面自发光型面板。有机EL元件具有二极管特性并利用了这样的现象：如果将电场施加给有机薄膜，那么有机薄膜发光。由于有机EL元件是功耗低(因为其受到小于或等于10V的施加电压的驱动)且自身发光的自发光元件，因此有机EL元件具有不需要照明组件且重量和厚度容易降低的特性。进一步，由于有机EL元件的响应速度为大约几μs那么高，因此EL元件具有不会出现动态图像显示时的余像(after-image)的优点。

在各种EL面板之中，正积极地开发如下这样的有源矩阵型面板：在该面板中，在每一个像素中以集成状态形成作为驱动元件的薄膜晶体管(TFT)。例如，在日本专利特开No.2003-255856、2003-271095、2004-133240、2004-029791和2004-093682中公开了有源矩阵EL面板。

顺便提及，众所周知的是：有机EL元件的电流-电压特性(即，I-V特性)随着时间经过而恶化，或换言之，经受依赖于时间的恶化。尤其是将N沟道TFT用作用于电流驱动有机EL元件的驱动晶体管的像素电路中，如果有机EL元件的I-V特性经受依赖于时间的恶化，那么驱动晶体管的栅源电压Vgs变化。由于驱动晶体管的源极电极侧与有机EL元件连接，因此有机EL元件的发光亮度根据驱动晶体管的栅源电压Vgs的变化而变化。

更具体地对其进行描述。在有机EL元件与驱动晶体管的源极电极侧连接的情况下，驱动晶体管的源极电位依赖于驱动晶体管和有机EL元件的工作点。然后，如果有机EL元件的I-V特性恶化，那么由于驱动晶体管和有机EL元件的工作点变化，因此即使将相同电压施加到驱动晶体管的栅极电极，驱动晶体管的源极电位也会变化。这使得驱动晶体管的栅源电压Vgs变化，从而流入驱动晶体管的电流的值变化。结果，流入有机EL元件的电流的值也变化，从而有机EL元件的发光亮度变化。

进一步，尤其在使用多晶TFT的像素电路中，除了有机EL元件的I-V特性的依赖于时间的恶化之外，驱动晶体管的晶体管特性也随着时间经过而变化，或者晶体管特性由于制造工艺的漂移而在不同像素当中不一致。具体地，各个像素指示驱动晶体管的晶体管特性的漂移。晶体管特性可以是驱动晶体管的阈值电压Vth、形成驱动晶体管的沟道的半导体薄膜的迁移率μ等。注意，在下文中，将如上所述的这种迁移率μ简称为“驱动晶体管的迁移率μ”。

如果驱动晶体管的晶体管特性在不同像素之中不一致，那么在各个像素之中出现流入驱动晶体管的电流的值的漂移。因此，即使在各像素之中将相等的电压施加到驱动晶体管的栅极电极，在各像素之中仍出现有机EL元件的发光亮度的漂移。结果，屏幕图像的均匀性丢失或恶化。

因此，已经提出了如下这样的像素电路：其配备有各种校正或补偿功能以便保持有机EL元件的发光亮度固定，而不受到有机EL元件的I-V特性的依赖于时间的恶化、驱动晶体管的晶体管特性的依赖于时间的变化等影响。例如，日本专利特开No.2006-133542中公开了所述类型的像素电路。

校正功能可以是对于有机EL元件的特性变化的补偿功能、防止驱动晶体管的阈值电压Vth的变化的校正功能、防止驱动晶体管的迁移率μ的变化的校正功能或类似的功能。在下面的描述中，防止驱动晶体管的阈值电压Vth的变化的校正被称为“阈值校正”，防止驱动晶体管的迁移率μ的变化的校正被称为“迁移率校正”。

在以这种方式向每一个像素电路提供各种校正功能的情况下，可以将有机EL元件的发光亮度保持固定，而不受到有机EL元件的I-V特性的依赖于时间的恶化或驱动晶体管的晶体管特性的依赖于时间的变化的影响。结果，可以提高显示装置的显示质量。

发明内容

顺便提及，利用如下事实来执行迁移率校正：驱动晶体管的源极电位的升高量依赖于迁移率μ而变化。更具体地，具有高迁移率μ的驱动晶体管的源极电位的升高量大，而具有低迁移率μ的另一驱动晶体管的源极电位的升高量小。于是，通过将执行迁移率校正的时间段调整到预定时间段，可以补偿各个像素中驱动晶体管的迁移率μ的漂移。

然而，反过来讲，在每一个像素的电路常数固定的情况下，不可避免地确定迁移率校正所需的时间段，并且不能缩短该时间段。于是，不能减小驱动一个像素所需的时间段，并且高速驱动是困难的。

因此，期望提供可以减小迁移率校正所需时间段的显示装置和驱动控制方法。