[发明专利]一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构有效
| 申请号： | 201010163419.0 | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101915624A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 黄欣;薛守斌;艾玉杰;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实时 监测 晶体管 温度 表征 方法 结构 | ||
1.一种实时监测晶体管温度的热表征方法，其特征在于，在晶体管的栅上设有一材料层，该材料层与晶体管栅构成P-N结，在材料层上施加一偏置电压，使材料层和栅之间形成的PN结导通，测试PN结电流，PN结电流仅与PN结处的温度相关，从而得到晶体管器件温度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在不测量温度时，在材料层上再施加一偏置电压，使材料层和栅之间形成的PN结不导通电流，减小功耗。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述材料层和晶体管栅同为多晶硅，通过多晶硅材料层注入的杂质与多晶硅栅杂质不同，构成P-N结。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，刻蚀多晶硅材料层，形成一与P-N结相连的多晶硅加热结构，对多晶硅材料层施加一定电压，通过该加热结构实现晶体管的加热。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，对PN结区域进行掺杂，对PN结相连的加热结构区域不掺杂或适量轻掺杂，使得加热结构的方块电阻比较大。
6.一种用于热表征的结构，其特征在于，包括晶体管的栅，以及与晶体管栅构成P-N结的材料层，所述材料层位于晶体管栅上。
7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，所述材料层和晶体管栅同为多晶硅，通过多晶硅材料层注入的杂质与多晶硅栅杂质不同，构成P-N结。
8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，所述P-N结连接一多晶硅加热结构。
9.如权利要求8所述的结构，其特征在于，所述加热结构通过刻蚀多晶硅材料层制得，其形状为细长条状或折叠细条状，从而通过调节L/W调节电阻。
10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，对PN结区域进行掺杂，对PN结相连的加热结构区域不掺杂或适量轻掺杂，使得加热结构的方块电阻比较大。
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