[发明专利]一种逆压电纳米半导体发电机

权利要求书

1.一种逆压电纳米半导体发电机，其特征在于：包括半导体纳米线阵列(1)、金属薄片(2)、外壳(4)和外接电路(5)，所述的半导体纳米线阵列(1)由具有逆压电和极化特性的取向半导体纳米线组成、生长在对应的导电金属基片(3)上，所述的金属薄片(2)与朝上放置的半导体纳米线阵列(1)的上端紧密接触，所述的半导体纳米线阵列(1)和金属薄片(2)通过上下叠压接触后、通过悬挂弹簧系统(7)直接固定在外壳(4)中，并与外接电路(5)相连接；所述的半导体纳米线阵列(1)是通过水热合成工艺直接生长在金属Zn的基片上的半导体ZnO纳米线阵或者是通过水热合成工艺直接生长在Cd片上的CdS纳米线阵列；所述的金属薄片(2)的材料是功函值小于半导体功函值的金属材料或功函值大于半导体功函值的金属材料。

2.根据权利要求1所述的一种逆压电纳米半导体发电机，其特征在于：所述的功函值小于半导体功函值的金属材料是Zn或Al或Cu或Fe，所述的功函值大于半导体功函值的金属材料是Au或Pt。

3.根据权利要求1所述的一种逆压电纳米半导体发电机，其特征在于：所述的半导体纳米线几何尺寸范围不受限制。

4.根据权利要求1或2所述的一种逆压电纳米半导体发电机，其特征在于：所述的半导体纳米线可用相同材料的半导体纳米带或半导体纳米棒代替。