[发明专利]一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法

权利要求书

1.一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，其特征在于，该方法采用电容-电压测量仪，具体包括：

步骤10：在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压；

步骤20：电容-电压测量仪的内置电源提供Vgs或者Vgd端口电压的自动扫描，获得Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；

步骤30：对氮化镓基场效应晶体管器件采用表面钝化处理，然后再次测量器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；

步骤40：比较表面钝化处理前后器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线，当Vgs或Vgd低于器件阈值电压为沟道关态电容，当Vgs或Vgd高于器件阈值电压为沟道开态电容，从沟道关态电容和沟道开态电容的相对变化量来衡量表面钝化处理的效果好坏。

2.根据权利要求1所述的检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，其特征在于，步骤10中所述在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压，包括：

在电容-电压测量仪的High端口接氮化镓基场效应晶体管的栅端口G，采用正电压加载到G端，电容-电压测量仪的Low端口接氮化镓基场效应晶体管的源端口S或者漏端口D。

3.根据权利要求1所述的检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，其特征在于，步骤30中所述对氮化镓基场效应晶体管器件采用表面钝化处理，采用酸碱溶液、等离子体处理和介质钝化，其中，酸碱溶液包括盐酸、磷酸、氢氟酸、氨水、氢氧化钠和氢氧化钾中的任一种，等离子体处理包括N₂等离子体、NH₃等离子体或O₂等离子体，介质钝化包括氧化硅、氮化硅、氧化铝和苯并环丁烯中的任一种。

4.根据权利要求1所述的检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，其特征在于，所述电容-电压测量仪采用LCR表HP4284A。