[发明专利]流体处理装置、浸没式光刻设备以及器件制造方法有效
| 申请号: | 201010162215.5 | 申请日: | 2010-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN101859072A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
| 发明(设计)人: | E·H·E·C·尤姆麦伦;K·斯蒂芬斯;兼子毅之;G·M·M·考克恩 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王新华 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 流体 处理 装置 浸没 光刻 设备 以及 器件 制造 方法 | ||
1.一种浸没式光刻设备,包括:
投影系统,其具有光学轴线;
衬底台,其配置用于保持衬底,所述衬底、台或两者限定面对的表面;和
流体处理结构,其配置成供给浸没液体到限定在所述投影系统和所述面对的表面之间的浸没空间,所述流体处理结构包括:
流体去除装置,其布置成去除来自所述浸没空间的浸没液体;和
液滴去除装置,其布置成去除浸没液体的液滴,其中:
所述液滴去除装置较所述流体去除装置远离所述光学轴线,并且
所述液滴去除装置包括面对所述面对的表面的多孔部件。
2.如权利要求1所述的浸没式光刻设备,其中,所述多孔部件的至少一部分和所述面对的表面之间的距离随离开所述光学轴线的距离增大而增大。
3.如权利要求2所述的浸没式光刻设备,其中,所述部分设置在所述多孔部件的相对于所述光学轴线的外侧部分。
4.如权利要求2或3所述的浸没式光刻设备,其中,比所述部分靠近所述光学轴线的所述多孔部件的内侧部分离开所述面对的表面的距离基本上恒定。
5.如权利要求2或3所述的浸没式光刻设备,其中,比所述部分靠近所述光学轴线的所述多孔部件的内侧部分与面对的表面之间的距离随离开所述光学轴线的距离增大而减小。
6.如前面权利要求中任一项所述的浸没式光刻设备,其中,所述液滴去除装置相对于所述光学轴线的最内侧边缘与所述面对的表面之间的距离小于所述流体去除装置与所述面对的表面之间的距离。
7.如前面权利要求中任一项所述的浸没式光刻设备,其中,所述流体去除装置是配置成抽取两相流体的两相抽取器。
8.如前面权利要求中任一项所述的浸没式光刻设备,其中,所述流体去除装置包括位于所述流体处理结构的表面内的多个离散的开口,所述开口以图案的形式限定在所述表面内并且配置成通过去除(i)来自所述浸没空间的浸没液体和(ii)来自所述浸没液体外部的大气中的气体的混合物而将所述浸没液体限制到所述浸没空间。
9.如前面权利要求中任一项所述的浸没式光刻设备,其中:
所述多孔部件包括多个开口,并且
所述开口之间的间距随离开所述光学轴线的距离增大而增大,和/或每个开口的出口面积随离开所述光学轴线的距离增大而减小。
10.如前面权利要求中任一项所述的浸没式光刻设备,其中,所述液滴去除装置配置成去除已经从所述浸没空间内的所述浸没液体脱离的浸没液体液滴。
11.如前面权利要求中任一项所述的浸没式光刻设备,其中,所述多孔部件配置成去除浸没液体和气体的混合物。
12.如前面权利要求中任一项所述的浸没式光刻设备,还包括抽取装置,所述抽取装置连接到所述流体去除装置和所述液滴去除装置,以便减小位于所述流体去除装置和所述液滴去除装置两者处的压力。
13.一种浸没式光刻设备,包括:
投影系统,其具有光学轴线;
衬底台,其配置成保持衬底,所述衬底、台或两者限定面对的表面;和
流体处理结构,其配置成供给浸没液体到限定在所述投影系统和所述面对的表面之间的浸没空间,所述流体处理结构包括:
流体去除装置,其布置成去除来自所述浸没空间的浸没液体;和
液滴去除装置,其面对所述面对的表面并配置成去除浸没液体的液滴,其中:
所述液滴去除装置较所述流体去除装置远离所述光学轴线,并且
所述液体去除装置的至少一部分和所述面对的表面之间的距离随离开所述光学轴线的距离增大而增大。
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