[发明专利]LED灯芯和LED芯片及制造方法

权利要求书

1.一种LED灯芯，包括有：导热芯(6)、热扩散片(2)和晶片(1)，其特征在于：导热芯(6)采用了铝或铜；导热芯(6)向外传热的接触传热面采用了圆锥柱结构、或螺纹柱结构或锥形螺柱结构；热扩散片(2)采用了铜或铝、或铜铝复合材料；热扩散片(2)的厚度不小于0.5mm，面积大于5倍的晶片面积；晶片(1)是焊接贴在热扩散片(2)上；热扩散片(2)与导热芯(6)的吸热面之间设置有高压绝缘层(4)，高压绝缘层(4)的厚度小于0.1mm。

2.根据权利要求1所述的LED灯芯，其特征在于：高压绝缘层(4)采用了通过阳极氧化直接从导热芯(6)上或热扩散片(2)上、或两者上的金属铝表面生长出的氧化铝膜。

3.根据权利要求1所述的LED灯芯，其特征在于：晶片或晶片组是径向散开，分散布置，单颗晶片的功率不大于4W。

4.根据权利要求1所述的LED灯芯，其特征在于：引出导线(9)从导热芯(6)内穿过，在导热芯后端伸出、或在导热芯的后端设置有接电端子或触点或触盘。

5.根据权利要求1所述的LED灯芯，其特征在于：导热芯(6)中部贯通，并设置有散热肋片(7)。

6.一种LED芯片，包括有晶片(1)和热扩散片(2)，其特征在于：热扩散片(2)采用了铜或铝、或铜铝复合材料；热扩散片(2)的面积大于5倍的晶片面积，厚度不于0.5mm；晶片(1)设置有导热焊盘(16)，焊贴在热扩散片(2)的A面，晶片(1)与热扩散片(2)之间的焊接接触面积不小于三分之一的晶片面积；热扩散片的B面设置有高压绝缘层(4)或热扩散片的A面设置有低压绝缘层(8)、或热扩散片的A面和B面分别设置有低压绝缘层(8)和高压绝缘层(4)；高压绝缘层(4)采用了通过阳极氧化直接从热扩散片上的金属铝表面生长出的氧化铝膜，该氧化铝膜的厚度大于50μm；低压绝缘层(8)采用了通过气相沉积生成的陶瓷绝缘膜、或通过阳极氧化直接从热扩散片上的金属铝表面生长出的氧化铝膜，该氧化铝膜的厚度小于50μm。

7.一种LED芯片，包括有晶片(1)和热扩散片(2)，pn结电极为V型电极，采用倒装结构，其特征在于：热扩散片(2)采用了铜或铝、或铜铝复合材料；热扩散片(2)的面积大于5倍的晶片面积，厚度不小于0.5mm；晶片(1)设置有导热焊盘(16)，晶片(1)与热扩散片(2)之间的焊接接触面积不小于晶片面积的三分之一；晶片上的n结电极(22)和p结电极(20)或部分p结电极外侧被一层通过气相沉积生成的陶瓷绝缘膜覆盖，导热焊盘(16)在该陶瓷绝缘膜的外侧。

8.一种LED芯片，包括有：热扩散片(2)、晶片(1)和晶片定位片(28)，其特征在于：热扩散片(2)采用了铜或铝、或铜铝复合材料；热扩散片的面积大于5倍的晶片面积，厚度不小于0.5mm；晶片定位片采用绝缘片材制成；晶片定位片(28)焊接或粘接贴在热扩散片(2)的A面，晶片(1)镶嵌在晶片定位片(28)中。

9.根据权利要求7或8所述的LED芯片，其特征在于：晶片上的n极焊盘和p极焊盘分别设在四个角上，并且成对角分布。

10.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于：在靠晶片(1)的边缘或侧壁设置有电极焊盘，在晶片定位片(28)上设置有相对应的电极引线，电极引线焊盘靠近相对应的晶片上的电极焊盘，两焊盘通过导线或焊料直接焊接连通。

11.一种LED芯片封装制造方法，该LED芯片包括有晶片(1)和热扩散片(2)，其特征在于：采用了晶片定位板(25)，在晶片定位板(25)上开有数多晶片定位嵌口，和不少于两个的定位孔(26)；在热扩散片板(27)上开有相对应的定位孔(26)，以及设置有与晶片相应的焊盘；

晶片(1)先镶嵌固定在晶片定位板(25)中的晶片定位嵌口内，再通过定位孔(26)定位，一起贴在热扩散片板(27)上，再一起加热，进行晶片与热扩散片的焊接工序、

或晶片定位板(25)，通过定位孔(26)定位，先贴在热扩散片板(27)上，再将晶片(1)嵌入晶片定位嵌口中，再一起加热，进行晶片与热扩散片的焊接工序。