[发明专利]氮化物半导体发光二极管

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光二极管，至少由n型氮化物半导体层、有源层、p型氮化物半导体层构成，其特征在于，

所述有源层由发光二极管中In混晶比最大的一层第一氮化物半导体层构成，

该氮化物半导体发光二极管具有第二氮化物半导体层及第三氮化物半导体层中的至少任一方，该第二氮化物半导体层位于所述有源层和所述n型氮化物半导体层之间且包含InGaN层，该第三氮化物半导体层位于所述有源层和所述p型氮化物半导体层之间且包含InGaN层，

所述第二氮化物半导体层所含有的InGaN层及所述第三氮化物半导体层所含有的InGaN层中至少任一方的In混晶比，小于构成所述有源层的第一氮化物半导体层的In混晶比。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，在所述第二氮化物半导体层及所述第三氮化物半导体层中的至少任一方，两层以上的氮化物半导体层构成周期结构，所述两层以上的氮化物半导体层各自的In混晶比小于构成有源层的第一氮化物半导体层的In混晶比。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，所述第二氮化物半导体层及所述第三氮化物半导体层包含InGaN层，该InGaN层的In混晶比小于构成有源层的第一氮化物半导体层的In混晶比。

4.如权利要求2所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，在所述第二氮化物半导体层及所述第三氮化物半导体层中，两层以上的氮化物半导体层构成周期结构，

所述两层以上的氮化物半导体层分别具有InGaN层，该InGaN层的In混晶比小于构成有源层的第一氮化物半导体层的In混晶比。

5.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，In混晶比小于构成所述有源层的第一氮化物半导体层的In混晶比的InGaN层，其In混晶比为5％以上。

6.如权利要求2所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，在所述第二氮化物半导体层及所述第三氮化物半导体层中，两层以上的氮化物半导体层构成周期结构，

构成所述周期结构的两层以上的氮化物半导体层为GaN层及InGaN层。

7.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，所述第二氮化物半导体层及所述第三氮化物半导体层所包含的InGaN层都未掺杂，该InGaN层的In混晶比小于构成有源层的第一氮化物半导体层的In混晶比。

8.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，所述第二氮化物半导体层所包含的InGaN层掺杂有Si及Ge，该InGaN层的In混晶比小于构成有源层的第一氮化物半导体层的In混晶比。

9.如权利要求6所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，构成所述周期结构的GaN层及InGaN层都未掺杂。

10.如权利要求6所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，构成所述第二氮化物半导体层的周期结构的GaN层或InGaN层掺杂有Si及Ge中的至少一方。

11.如权利要求6所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，构成所述第三氮化物半导体层的周期结构的GaN层或InGaN层未掺杂。

12.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，与所述有源层相接的第二氮化物半导体层中的层为GaN层。

13.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管，其特征在于，与所述p型氮化物半导体层相接的第三氮化物半导体层中的层为GaN层。