[发明专利]半导体装置以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底上的栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的第一电极层及第二电极层；

所述第一电极层及所述第二电极层上的第一布线层及第二布线层，所述第一布线层电连接于所述第一电极层，所述第二布线层电连接于所述第二电极层；以及

所述第一布线层及所述第二布线层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层接触于所述第一电极层及所述第二电极层的侧面及上面，

其中，所述栅电极层与所述第一电极层及所述第二电极层的端部重叠且不与所述第一布线层及所述第二布线层重叠，

所述第一电极层及所述第二电极层的导电率为所述氧化物半导体层的导电率以上，

并且，所述第一电极层及所述第二电极层的导电率为所述第一布线层及所述第二布线层的导电率以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一布线层的端部与所述栅电极层的端部的一方一致，并且所述第二布线层的端部与所述栅电极层的端部的另一方一致。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层的厚度为5nm以上且200nm以下的范围内，并且所述第一电极层及所述第二电极层的厚度为5nm以上且200nm以下的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电极层延伸，以便使该第一电极层的端部位于所述第一布线层的端部的内侧并重叠于所述栅电极层，并且所述第二电极层延伸，以便使该第二电极层的端部位于所述第二布线层的端部的内侧并重叠于所述栅电极层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电极层及所述第二电极层的导电率分别为1×10^-4S/cm以上且1×10²S/cm以下的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电极层与所述栅电极层重叠的长度及所述第二电极层与所述栅电极层重叠的长度分别为0.2μm以上且5μm以下的范围内。

7.一种半导体装置，包括：

衬底上的第一电极层及第二电极层；

所述第一电极层及所述第二电极层上的第一布线层及第二布线层，所述第一布线层电连接于所述第一电极层，所述第二布线层电连接于所述第二电极层；

所述第一布线层及所述第二布线层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层接触于所述第一电极层及所述第二电极层的侧面及上面；

所述氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；以及

所述栅极绝缘膜上的栅电极层，

其中，所述栅电极层与所述第一电极层及所述第二电极层的端部重叠且不与所述第一布线层及所述第二布线层重叠，

所述第一电极层及所述第二电极层的导电率为所述氧化物半导体层的导电率以上，

并且，所述第一电极层及所述第二电极层的导电率为所述第一布线层及所述第二布线层的导电率以下。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一布线层的端部与所述栅电极层的端部的一方一致，并且所述第二布线层的端部与所述栅电极层的端部的另一方一致。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层的厚度为5nm以上且200nm以下的范围内，并且所述第一电极层及所述第二电极层的厚度为5nm以上且200nm以下的范围内。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一电极层延伸，以便使该第一电极层的端部位于所述第一布线层的端部的内侧并重叠于所述栅电极层，并且所述第二电极层延伸，以便使该第二电极层的端部位于所述第二布线层的端部的内侧并重叠于所述栅电极层。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一电极层及所述第二电极层的导电率分别为1×10^-4S/cm以上且1×10²S/cm以下的范围内。

12.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一电极层与所述栅电极层重叠的长度及所述第二电极层与所述栅电极层重叠的长度分别为0.2μm以上且5μm以下的范围内。