[发明专利]半导体装置及金属屏蔽板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括具有电路面的半导体芯片和在半导体芯片的至少电路面设置的金属屏蔽板，其特征在于：

金属屏蔽板具有包含一个面和另一面的屏蔽板主体、以及从屏蔽板主体向侧方突出的毛边，

金属屏蔽板配置成使另一面朝向半导体芯片的电路面一侧，

毛边位于屏蔽板主体的另一面侧，

在毛边的前端沿与另一面正交的方向形成有切断毛边，切断毛边朝着与半导体芯片相反的一侧而突出。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：金属屏蔽板由包含Fe-Ni合金的材料构成。

3.一种半导体装置，包括具有电路面的半导体芯片和在半导体芯片的至少电路面设置的金属屏蔽板，其特征在于：

金属屏蔽板具有包含一个面和另一面的屏蔽板主体、以及从屏蔽板主体向侧方突出的毛边，

金属屏蔽板配置成使一个面朝向半导体芯片的电路面一侧，

毛边位于屏蔽板主体的另一面侧，

在毛边的前端沿与另一面正交的方向形成有切断毛边。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：金属屏蔽板由包含Fe-Ni合金的材料构成。

5.一种半导体装置，其特征在于包括：

衬底；

设于衬底上的第一金属屏蔽板；

设于第一金属屏蔽板上并具有电路面的半导体芯片；以及

在半导体芯片的电路面设置的第二金属屏蔽板，

第一金属屏蔽板具有包含一个面和另一面的屏蔽板主体和从屏蔽板主体向侧方突出的毛边，

第一金属屏蔽板配置成使另一面朝向衬底一侧，

毛边位于屏蔽板主体的另一面侧，

在毛边的前端沿与另一面正交的方向形成有切断毛边，切断毛边朝着与衬底相反的一侧而突出。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：第一金属屏蔽板及第二金属屏蔽板由包含Fe-Ni合金的材料构成。

7.一种半导体装置，其特征在于包括：

衬底；

设于衬底上的第一金属屏蔽板；

设于第一金属屏蔽板上并具有电路面的半导体芯片；以及

在半导体芯片的电路面设置的第二金属屏蔽板，

第一金属屏蔽板具有包含一个面和另一面的屏蔽板主体和从屏蔽板主体向侧方突出的毛边，

第一金属屏蔽板配置成使一个面朝向衬底一侧，

毛边位于屏蔽板主体的另一面侧，

在毛边的前端与另一面正交的方向形成有切断毛边。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：第一金属屏蔽板及第二金属屏蔽板由包含Fe-Ni合金的材料构成。

9.一种金属屏蔽板的制造方法，该金属屏蔽板用于包含半导体芯片和密封半导体芯片的密封树脂的半导体装置，且保护半导体芯片免受外部磁扰，其特征在于包括：

准备坡莫合金PC材料的工序；

加工坡莫合金PC材料而制作包含金属屏蔽板的平板状的加工完毕坡莫合金PC材料的工序；

将多个平板状的加工完毕坡莫合金PC材料互相层叠并配置在热处理炉内的工序；

在热处理炉内惰性气体气氛中650℃至850℃的温度下对加工完毕坡莫合金PC材料在进行热处理的工序；以及

将金属屏蔽板从加工完毕坡莫合金PC材料分离的工序。

10.如权利要求9所述的金属屏蔽板的制造方法，其特征在于：多个平板状的加工完毕坡莫合金PC材料隔着隔垫进行层叠，隔垫具有与坡莫合金PC材料相同的线膨胀系数。

11.如权利要求10所述的金属屏蔽板的制造方法，其特征在于：隔垫由坡莫合金PC材料构成。

12.如权利要求9所述的金属屏蔽板的制造方法，其特征在于：对加工完毕坡莫合金PC材料进行热处理的工序包括将加工完毕坡莫合金PC材料加热至650℃至850℃后，逐渐冷却该加工完毕坡莫合金PC材料的退火工序。

13.如权利要求9所述的金属屏蔽板的制造方法，其特征在于：加工完毕坡莫合金PC材料包含多个金属屏蔽板。