[发明专利]薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号: | 201010156218.8 | 申请日: | 2010-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN101820003A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
| 发明(设计)人: | 张晓丹;黄茜;赵颖 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/18;C23C14/35 |
| 代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳电池 双层 氧化锌 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜,其特征在于该导电薄膜依次包括: 衬底层,衬底层上的具有(0001)结晶相的ZnO多晶薄膜电荷传输层,以及电荷传输层 上经过湿法腐蚀处理的具有结晶相的ZnO多晶薄膜绒面散射层。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜,其特征在于所 述的衬底层为硬质衬底或柔性衬底材料。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜,其特征在于所 述的硬质衬底材料为玻璃或不锈钢,所述的柔性衬底材料为聚合物材料。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜,其特征在于所 述的ZnO多晶薄膜电荷传输层和绒面散射层为掺杂氧化锌材料,具体为ZnO:Al、ZnO: Ga、ZnO:B、ZnO:H、ZnO:Mo或ZnO:Wn型半导体材料;电荷传输层和绒面散射 层的厚度分别为0.2-1μm之间。
5.根据权利要求4所述的薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜,其特征在于所 述的ZnO多晶薄膜电荷传输层和绒面散射层构成的双层氧化锌透明导电薄膜电阻率小于3 x10-3cm。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜,其特征在于所 述的绒面散射层的表面均方根粗糙度在40-150nm之间。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜, 其特征在于所述的薄膜太阳电池为非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜太阳电池及多叠层 硅基薄膜太阳电池中的至少一种。
8.一种权利要求1所述的薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜的制备方法,其 特征在于该方法的步骤是:
第一、在清洁处理后的衬底上制备具有(0001)结晶相的ZnO多晶薄膜电荷传输层, 厚度为0.2-1μm之间;
第二、在第一步所述电荷传输层上原位制备具有结晶相的ZnO多晶薄膜绒 面散射层,厚度为0.2-1μm之间;
第三、将第二步的双层ZnO多晶薄膜中的绒面散射层进行湿法腐蚀制绒处理,所述 的湿法腐蚀制绒处理采用质量浓度为0.1-5%的稀盐酸,腐蚀时间为5-60s之间。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,第一步和第二步中所述的ZnO多晶薄 膜电荷传输层和绒面散射层采用电子束蒸发、磁控溅射、分子束外延或脉冲激光沉积中的 至少一种方法制得。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,第一步和第二步中所述的ZnO 多晶薄膜电荷传输层和绒面散射层为掺杂氧化锌材料,具体为ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO: B、ZnO:H、ZnO:Mo或ZnO:Wn型半导体材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





