[发明专利]参考电流电路以及参考电流产生方法有效

专利信息
申请号: 201010155593.0 申请日: 2010-04-02
公开(公告)号: CN101859158A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 林庆宗 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;邢雪红
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 参考 电流 电路 以及 产生 方法
【权利要求书】:

1.一种电流参考电路,包括:

一电压源,具有一温度系数;

一第一电阻性元件,具有一正温度系数;以及

一第二电阻性元件,具有一负温度系数,其中上述第一、第二电阻性元件串联耦接并形成一电阻,用以通过上述电压源产生对温度变化不敏感的一参考电流。

2.如权利要求1所述的电流参考电路,其中上述电压源具有一正温度系数。

3.如权利要求1所述的电流参考电路,其中上述电压源具有一负温度系数。

4.如权利要求1所述的电流参考电路,其中上述电压源用以输出一电压,而上述参考电流由一方程式表示,上述方程式为Iref=V/(Rpos+Rneg),Iref为上述参考电流,V为上述电压源所输出的电压,上述第一电压,Rpos为上述第一电阻性元件,Rneg为上述第二电阻性元件。

5.如权利要求4所述的电流参考电路,其中于上述方程式中上述电压源的温度系数由上述第一电阻性元件的正温度系数和上述第二电阻性元件的负温度系数的加总而抵消。

6.如权利要求1所述的电流参考电路,其中上述第一、第二电阻性元件中的至少一者是由二个以上的电阻所形成。

7.如权利要求1所述的电流参考电路,其中上述第一、第二电阻性元件皆由被掺杂成导电型态的半导体材料所形成。

8.如权利要求7所述的电流参考电路,其中上述第一电阻性元件由多晶硅材料掺杂n型掺杂原子所构成。

9.如权利要求7所述的电流参考电路,其中上述第二电阻性元件由多晶硅材料掺杂p型掺杂原子所构成。

10.如权利要求1所述的电流参考电路,其中上述电压源耦接至具有一零温度系数的一能隙参考电路。

11.一种电流参考电路,用以通过一已温度补偿电压产生一参考电流,包括:

一节点,耦接至上述已温度补偿电压源;

一第一电阻性元件,具有一正温度系数;以及

一第二电阻性元件,具有一负温度系数,其中上述第一、第二电阻性元件串联耦接并形成一电阻,用以通过上述已温度补偿电压源产生对温度变化不敏感的一参考电流。

12.如权利要求11所述的电流参考电路,其中上述正温度系数与上述负温度系数的总和大抵上为零。

13.一种参考电流产生方法,包括:

从具有一温度系数的一电压源接收一第一电压;

提供一第一电阻性元件,上述第一电阻性元件具有一正温度系数;

提供一第二电阻性元件,上述第二电阻性元件具有一负温度系数;以及

上述第一、第二电阻性元件串联耦接并形成一电阻,用以通过上述电压源产生对温度变化不敏感的一参考电流。

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