[发明专利]提升存储器元件辐射加固程度的电路与方法

权利要求书

1.一种电路，包括：

一电容器，具有至少一导体层，该导体层包括彼此大体平行的多个条状物；所述多个条状物中的两相邻条状物形成一第一电容值；该两相邻条状物的一第一条状物形成一第一端，而两相邻条状物的一第二条状物形成一第二端；从该第一端与该第二端看进该电容器的电容值包括多个该第一电容值所合成的电容值；以及

一存储器元件，具有一输入端及一输出端，该输入端耦接该第一端，而该输出端耦接该第二端；其中该电容器将电荷提供给该输入端与该输出端以改善该存储器元件的辐射加固程度。

2.如权利要求1所述的电路，其中该存储器元件为一正反器或一闩锁器所构成的群组中选出的一种元件。

3.如权利要求1所述的电路，其中所述多个条状物位于用以形成该存储器元件的一基底层的一区域的正上方。

4.如权利要求1所述的电路，其中，所述多个条状物中没有任何条状物位于用以形成该存储器元件的一基底层的一区域的正上方。

5.如权利要求1所述的电路，其中该至少一导体层包括绕线资源。

6.如权利要求1所述的电路，其中所述多个条状物围绕多个绕线资源。

7.如权利要求1所述的电路，其中该存储器元件使用一半导体结构的一第一金属层，而该导体层为该第一金属层的上一层。

8.如权利要求1所述的电路，其中该存储器元件的该输入端耦接至一第一反相器的一输入端与一第二反相器的一输出端，而该存储器元件的该输出端耦接至该第一反相器的一输出端与该第二反相器的一输入端。

9.一种方法，包括如下步骤：

判定多个临界电荷；

从所述多个临界电荷中判定多个对应临界电荷；

依据一存储器元件的一软件错误率，判定一目标临界电荷；

依据该目标临界电荷、所述多个临界电荷、以及所述多个电容值判定一目标电容值；以及

依据该目标电容值形成一电容器，该电容器在一半导体结构的至少一导体层中具有在多个第一导体条。

10.如权利要求9所述的方法，其中该存储器元件为一正反器或一闩锁器所构成的群组中选出的一种元件。

11.如权利要求9所述的方法，其中判定所述多个临界电荷的步骤包括将电荷注入该存储器元件的一输入端，并观查该存储器元件的一输出端。

12.如权利要求11所述的方法，其中，当该存储器元件的该输出端改变其状态时，可判定该临界电荷。

13.如权利要求9所述的方法，其中该存储器元件包括一输入节点及一输出节点，该输入节点耦接一第一反相器的一输入端及一第二反相器的一输出端，而该输出节点耦接至该第一反相器的一输出端及该第二反相器的一输入端。

14.如权利要求9所述的方法，还包括在该至少一导体层中的多个第二导体条。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述多个第一导体条沿一第一方向排列；所述多个第二导体条沿一第二方向排列；而该第二方向垂直该第一方向。

16.如权利要求14所述的方法，其中所述多个第一导体条沿一第一方向排列，所述多个第二导体条沿一第二方向排列，而该第二方向不与该第一方向垂直。

17.如权利要求9所述的方法，还包括将该电容器连接至该存储器元件，其中所述多个第一导体条位于用以建立该存储器元件的一基底层中一区域的正上方。

18.如权利要求9所述的方法，还包括将该电容器连接至该存储器元件，其中该存储器元件使用一半导体结构的一基底层与一第一导体层。

19.一种方法，包括如下步骤：

沿着一第一方向，在一半导体结构中形成一第一组导体条；

沿着一第二方向，在该半导体结构中形成一第二组导体条；

形成一电容器，其具有该第一组导体条与该第二组导体条的电容值；以及

将该电容器的一第一端耦接至一存储器元件的一输入端，并将该电容器的一第二端耦接至该存储器元件的一输出端，以降低该存储器元件的一软件错误率。