[发明专利]压电体元件和陀螺仪传感器无效
| 申请号： | 201010155013.8 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101853916A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 前川和也;野口隆男;远池健一;海野健 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/18;G01C19/56 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 元件 陀螺仪 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种压电体元件，其特征在于：
是一种在下部电极与上部电极之间具备压电体膜的压电体元件，
所述压电体膜包含a轴取向晶体和c轴取向晶体，
所述a轴取向晶体的晶格常数和所述c轴取向晶体的晶格常数之差为以内。
2.如权利要求1所述的压电体元件，其特征在于：
所述压电体膜包含在c轴方向上进行晶体生长而成的柱状晶体颗粒，
所述柱状晶体颗粒的粒径为49.8nm以下。
3.如权利要求1所述的压电体元件，其特征在于：
所述压电体膜是由化学式ABO3表示的钙钛矿型复合氧化物，
原子比A/B为1.1～1.2。
4.如权利要求1所述的压电体元件，其特征在于：
所述压电体膜的算术平均粗糙度Ra为0.28nm以下。
5.如权利要求1所述的压电体元件，其特征在于：
在所述下部电极和所述上部电极中的至少一者与所述压电体膜之间，具有由钌酸锶构成的层。
6.如权利要求2所述的压电体元件，其特征在于：
所述柱状晶体颗粒是在c轴方向上外延生长的。
7.一种陀螺仪传感器，其特征在于：
是一种具备基部和连接于所述基部的多个臂的音叉振子型的陀螺仪传感器，
所述基部和所述多个臂由权利要求1所述的压电体元件一体地形成。
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