[发明专利]LED芯片封装结构及其封装方法有效
| 申请号： | 201010154764.8 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222755A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;郭景宗 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种LED芯片封装方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；
在所述半导体衬底的第一表面形成超晶格薄膜；
在所述超晶格薄膜表面形成与超晶格薄膜对应的n型薄膜、p型薄膜，以及位于n型薄膜、p型薄膜之间的隔离层；
沿所述半导体衬底的第二表面在所述半导体衬底内形成暴露出超晶格薄膜的开口，所述开口用于容纳LED单元。
2.如权利要求1所述的LED芯片封装方法，其特征在于，所述超晶格薄膜为两种晶格匹配很好的半导体材料交替地生长周期性结构。
3.如权利要求2所述的LED芯片封装方法，其特征在于，所述半导体材料的厚度小于100nm。
4.如权利要求1所述的LED芯片封装方法，其特征在于，所述超晶格薄膜为n型SiGe薄膜和p型SiGe薄膜交替地生长周期性结构。
5.如权利要求1所述的LED芯片封装方法，其特征在于，所述n型SiGe薄膜和p型SiGe薄膜的形成工艺为原子层堆积工艺。
6.如权利要求1所述的LED芯片封装方法，其特征在于，隔离层材料选自氧化铝、氧化硅或者氮化硅。
7.一种LED芯片封装结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；
形成在半导体衬底第一表面的超晶格薄膜；
形成在所述超晶格薄膜表面并与超晶格薄膜对应的n型薄膜、p型薄膜，以及位于n型薄膜、p型薄膜之间的隔离层；
开口，所述开口沿所述半导体衬底的第二表面暴露出超晶格薄膜，所述开口用于容纳LED单元。
8.如权利要求7所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述超晶格薄膜为两种晶格匹配很好的半导体材料交替地生长周期性结构。
9.如权利要求7所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述超晶格薄膜为n型SiGe薄膜和p型SiGe薄膜交替地生长周期性结构。
10.如权利要求7所述的LED芯片封装结构，其特征在于，隔离层材料选自氧化铝、氧化硅或者氮化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010154764.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：U型钢轨轮轴探测装置
- 下一篇：地铁车辆单元式司机室空调机组
