[发明专利]光电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电装置，包括：

基板；

第一电极，设置在所述基板上；

至少一个光电转换层，设置在所述第一电极上，且包括受光层；

第二电极，设置在所述光电转换层上；

其中，包括在所述至少一个光电转换层的受光层，包括：

第一子层，含有氢化非晶硅；

第二子层，含有晶硅晶粒。

2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：所述晶硅晶粒的直径为3nm～10nm。

3.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：所述受光层的平均氢气含量为15atomic％～25atomic％。

4.一种光电装置的制造方法，包括以下步骤：

在基板上形成第一电极；

在腔室内于所述第一电极上形成包括受光层的至少一个光电转换层；

在所述光电转换层上形成第二电极；

其中，形成所述受光层期间，流入到所述腔室内的原料气体的氢气稀释比恒定；

形成所述受光层期间，朝向所述腔室中形成有喷嘴的电极交替供给具有第一频率的第一电压和具有高于所述第一频率的第二频率的第二电压。

5.一种光电装置的制造方法，包括以下步骤：

在基板上形成第一电极；

在腔室的所述第一电极上形成包括受光层的至少一个光电转换层；

在所述光电转换层上形成第二电极；

其中，形成所述受光层期间，流入到所述腔室的氢气和硅烷的流量恒定；

形成所述受光层期间，朝向所述腔室中形成有喷嘴的电极持续供给具有第一频率的第一电压，且交替供给具有高于所述第一频率的第二频率的第二电压。

6.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层期间，所述腔室的压力恒定。

7.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：供给所述第一电压和所述第二电压的供给时间之比保持恒定。

8.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：供给所述第一电压期间，形成含有非晶硅的第一子层；

供给所述第二电压期间，形成含有晶硅晶粒的第二子层。

9.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述第一频率为13.56MHz以上。

10.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层的厚度为150nm～350nm。

11.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层包括供给所述第一电压期间所形成的第一子层和供给所述第二电压期间所形成的第二子层；以及

所述第一子层的厚度为10nm以上。

12.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层包括供给所述第一电压期间所形成的第一子层和供给所述第二电压期间所形成的、含有晶硅晶粒的第二子层；

所述晶硅晶粒的直径为3nm～10nm以下。

13.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层包括供给所述第一电压期间所形成的第一子层和供给所述第二电压期间所形成的第二子层；

一个周期内所形成的所述第一子层和第二子层的厚度为50nm以下。

14.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层的光学能隙为1.85eV～2.0eV。

15.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，氧气、碳或者锗流入所述腔室。

16.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，氧气、碳或者锗流入所述腔室；

所述氧气、碳或者锗的流量在沉积期间保持恒定。

17.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，氧气、碳或者锗流入所述腔室；

所述受光层包含在所述多个光电转换层中光最先入射到的光电转换层。